腐蚀量及其氧化方式对多孔硅电子源发射特性的影响.pdfVIP

下载本文档

7
0
约1.75万字
约 3页
2015-08-31 发布于安徽
举报
版权申诉

腐蚀量及其氧化方式对多孔硅电子源发射特性的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

腐蚀量及氧化方式对多孔硅电子源发射特性的影响何力张霄张小宁王文江 1 (西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室西安70049) 流密度和发射效率最高，其最大值分别为62．40pA／cm2和36．00‰。较低腐蚀量下制备的多孔硅层较薄，容易被击穿；较高腐蚀量下制备的多孔硅层较厚，难以保证氧化的均匀性，同时厚的多孔硅层也削弱了器件电场不利于电子发射。针对较厚的多孔硅层，论文提出了电化学氧化ECO耶快速热氧化RTO) 相结合的复合氧化方法。实验结果表明，同EcO氧化相比，复合氧化能够显著提高较厚PS的发射特性，4．8斗m厚的PS其发射电流密度和发射效率的最大特性。关键词：腐蚀量；电化学氧化．快速热氧化。mj-发射特|生中图分类号：0613．72；TNl04．3文献标示符：APACC：7970 The lnfluenceofCorrosion Volumeand OxidationMethodonTheElectron Emission CharacterjStiCSofPorousSilicon He Xiao Wen LjJ ZhangXiao，Zhangning，Wangjiang of ElectronicsandDevicesofthe ofEducation (KeyLaboratoryPhysical Ministry Xi’an 71 JiaotongUniversity．Xi’an0049．CHN) he siliconelectronemitterwas corrosionvolumeof Abstract：lporous fabricatedby 30。45，60，90mA·minand oxidation．Iheresults demonstratethatthe 0f0=45mA·minhasthemostexcellentcharacteristicswhichthemaximum sample electronemissioncurrentIeandfheemission definedas isaboul62．40uA／cm2and36OO％。．The efficiency le／lps porous with smalIcorrosionvolumeismore tobebreakdownforitsthin thickPS with silicon(PS)prepared likely Iayer．The preparedlarge corrosionvolumecannolbeoxidated decreasestheelectricon PS t unifOrmIV。which fieldthe andsanielectronaqemission．．