LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备.pdfVIP

第28卷第8期 半导体学报 Vol28 No8 2007年8月 CHlNESEJOURNALOFSEMJCONDUCTORS Aug，2007 探测器的制备“ 毕臻1‘2’3’+张景文2边旭明2王 东2 张新安2’3 侯 洵1。2‘3 (1两安交通大学理学院，西安710049) 2西安变通大学陕西省信息光子技术重点实验室，西安710049 (3河南大学物理与信息光电子学院．开封475001) 光电导紫外探测器对响应时间的测试表明，探测器的上升时间仅为143ns，下降时间为65“s 关键词：MgozZn。80薄膜；紫外探测器；响应时间 PACC：6855；7240；7840 中图分类号：TL814 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)08—1242—06 引言 近年来，对于ZnO这种新型的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带 间为6．5ps(1～1／3)． 化合物半导体(E。=3．34eV)的研究较多．由于 ZnO相比于其他Ⅲ一V族化合物半导体有很多优2实验 势，例如在室温下具有更高的激子束缚能 (60meV)，可以在较低温度下生长(100～750℃)， 还具有很高的抗辐射性，可以应用于恶劣的环境“]． 外延生长，图1为生长系统的结构示意图．由于配置 由于这些优点，ZnO可以用来制备紫外光电探测 r反射式高能电子衍射仪(RHEED)，可以对薄膜 器，在紫外探测和导弹预警等方面都有重要的应用 的外延生长过程进行实时的原位检测，进而可以了 价值．但是P型ZnO薄膜的制备重复性、可靠性较解薄膜表面粗糙程度随生长条件的变化激光光源 差，因此对ZnO基紫外探测器的研究主要集中在 采用Lambda MSM结构的光导型和肖特基型探测器的制备方 面．而且MSM结构的探测器量子效率高，响应速度 快，制备简单，易于集成等优点也使其成为研究热 点 Mg，Zn。一。o薄膜除了具有与ZnO类似的优势 外，其禁带宽度随Mg含量的不同连续可调，禁带宽 度范围为3．3eV(x=0)到7．8eV(x=1)，相应地， 截止波长也几乎覆盖了整个紫外波段，包括了uV— A(320～400nm)，UV。B(280～320nm)和UV—C (200～280hm)iz]，因此，对Mg。Znl。0基紫外探 测器的研究和制备具有更广泛而实用的意义． 本文采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝 网1 激光分子束外延装置简图 1 ofLMBE 石(0001)面生长了具有不同缓冲层结构的Mg。． Fig Sketch system *教育部博上点基金(批准号：20030698008)．州南省杰出人卅创新基金(批准导．042100150(／)资助项目 educn 十通信作者Email：1wzhang@mailxjlu 2006-i1-28收到，2007-03-24定稿 @2007中国电子学会 万方数据 第8期 毕臻等：LMBE法生长Mg呲Zn㈣0及MSM型紫外探测器的制备 1 0 灿∽ 帕曲∽ 盯k巾 o H 1砌硼 侧w吲 虽D曲Ⅲ裟劬怒躲k话北 ㈣揣黑篮翟_||镒震 (b) 熏潞一 图2两种不同缓冲层生长力法(a)288#；(b)287# 2 Twodifferent ofthe Fig growthsMgZnOlayer 分子激光器(波长为248nm