MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究.pdfVIP

汪 红等：MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究 1719 汪 红，丁桂甫，戴旭涵，苏宇锋，张永华，王志民 (上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家重点实验室， 薄膜与微细技术教育部重点实验室，上海200030) 摘 要： 研究了采用多种氯化物体系电沉积制备 加工性等未作研讨。本文以此为切人点，通过大量的 分析测试和实验对比对4种合金体系所获得的CoN— CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁 体阵列器件方面的应用。对薄膜组成、磁性能的对比 iMnP永磁薄膜进行了筛选优化及性能表征。在此基 础上，探讨和研究了该磁性膜在微继电器原位制造以 研究表明：从稀氯化物体系(200mT)中获得的C082。 Nill。Mno．。R．。永磁体薄膜具有最好的磁性能：H。=及电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用。 208790A／m，B，一O．2T，(BH)。。。=10．15kJ／m3，且脆 2 实 验 性小、内应力较低。进一步解析发现这可能是因为与 易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致。在此 实验主要分3部分进行：镀液及工艺筛选实验、薄膜 基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原 性能表征及实际微器件CoNiMnP永磁薄膜制备实验。 位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列。 2．1镀液、工艺筛选实验 关键词： MEMS器件：CoNiMnP永磁体薄膜；磁性 能；掩膜电沉积 ×o．25mm，经l：1 HNO。抛光、蒸馏水洗净、干燥、单 中图分类号： TQl53；TM273文献标识码：A 面绝缘后施镀。阳极为金属钴，采用空气搅拌或磁力 文章编号：100l一9731(2006)ll一1719—04 搅拌，电流密度用恒流源控制。实验在低浓度氯化物、 高浓度氯化物两种体系和有无外加磁场等不同工艺条 1 引 言 件下进行(参见表1)。 微驱动器是微机电系统的核心之一，基于各种工 表1 电镀液体系和条件 作机制的微驱动器研究一直备受重视。其中大多数研 7Ihblel Thebath and conditions compositionoperating 究集中在静电型、电磁型、压电型和电热驱动等方 实验编号 1 2 3 4 面[1]。与静电驱动相比，电磁驱动不仅可以以较小的 镀液组成 驱动电压产生较大位移和驱动力，而且通过改变励磁 CoCl2·6H2()(mol／L)O．50 O．50 O．10 O．10 电流方向在励磁线圈和永磁体之间产生引力和斥力， NiClz·6H2()(rnol／L)O．50 O．50 O．10 O．10 可获得双向驱动，使其在微驱动器、微继电器和微开关 MnS()。·H2()(mol／L)O．02 O．02 O．02 O．02 等方面具有良好应用前景。 O．05 O．05 O．05 O．05