Mg掺杂PST薄膜的溶胶-凝胶法制备及晶相形成研究.pdfVIP

第54卷第11期2005年11月 物 理 学 报 1-06 1000．3290，2005／54(11)1541 ACTAPHYSICASINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． Mg掺杂PST薄膜的溶胶．凝胶法制备 及晶相形成研究* 杜丕一+ 隋 帅 翁文剑 韩高荣 汪建勋 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027) (2004年9月7日收到；2005年4月11日收到修改稿) 了分析，用扫描电子显微镜对薄膜的形貌和断面等进行了观察．研究结果表明，薄膜以立方钙钛矿为晶相，薄膜中 含量的影响与钙钛矿中的氧空位缺陷相关．在一定的掺杂范围内，由掺杂引起晶相的晶格畸变较小时，体系掺Mg 平衡了晶体内本征氧空位引入的电荷不平衡，使晶相更为稳定，析晶能力提高，晶体形成量随掺杂浓度的提高而提 高．当掺杂浓度达到一定量时，随着Mg掺杂浓度增加，一方面使形成晶体时杂质浓度增加造成参与形成晶相的组 成含量下降，另一方面使进入钙钛矿结构的Mg增加，氧空位大量增加使畸变程度提高，形成的晶相不稳定，析晶能 为z=0．01时，得到的钙钛矿相含量最高，本征氧缺陷所带入的正电荷和Mg引入时带入的负电荷间达到平衡．此 外，Mg的掺入还影响到析晶与热处理过程之间的关系．在高Mg掺量范围，Mg含量越高，形成的晶相越不稳定，热 处理时间越长，使热处理过程中分解的晶相量越多，随Mg掺量越高和热处理时间越长，薄膜中晶相含量越低． 关键词：溶胶．凝胶法，PST薄膜，Mg掺杂，晶相形成 PACC：7755，6170T 制备研究对开发PST薄膜的新用途非常必要；再则， 1．引 言 现在对其他相关薄膜研究可知，通过控制缺陷形成 完整晶体结构，通过控制工艺过程调整晶粒大小和 在微电子工业中，具有微波介电可调性能的材 结晶状态，以及通过控制界面影响等有望实现性能 料逐渐成为研究的热点．钛酸锶钡(BST)材料在直的优化H1’叫}．而掺杂是目前材料改性研究非常有 流偏压场下介电常数具有优越的可调性能，目前人 效的手段之一f14叫。，通过掺杂可以实现材料内电荷 们已对其性能的改进及在可调微波器件中的应用等 平衡、缺陷控制、晶粒尺寸调整和结晶性能改善等， 进行了广泛的研究¨叫。．最近，Cross等人对钛酸锶达到优化材料性能的目的．因而，开展溶胶．凝胶法 铅(PsT)陶瓷材料进行了研究，发现PST在具有较高 的介电可调性的同时，也有相当低的介电损耗，有望 膜的性能具有重要意义． 成为优良的微波可调器件用材料之一。5J．目前对 本文采用溶胶．凝胶法对PsT薄膜实现了Mg的 PST薄膜材料的研究已开始展开。6—11．一方面，虽然掺杂，并通过控制工艺过程对不同工艺条件下PST 只有两三年的研究历史，但结果显示与块体材料相 薄膜的结晶规律、结晶状态和表面形貌以及Mg掺 比，由于制备方法和生长条件的限制，薄膜材料的微 杂对薄膜晶相形成的影响等进行了研究，揭示了 结构通常具有较多的缺陷，材料性能还远未达到期 PST薄膜在不同掺Mg情况下的晶相形成条件及形 望值；另一方面，溶胶．凝胶法是目前制备功能薄膜 成规律．为进一步对薄膜性能研究打下了一定的 材料的有效方法之一，开展PST薄膜的溶胶．凝胶法 基础． ’E-mail：dupy@zju．edu．cn 万方数据 物 理 学 报 54卷 thermal 2．实 验