p-Si TFT的电场增强MILC制备技术.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.72万字
约 4页
2015-08-31 发布于湖北
举报
版权申诉

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术.pdf

第卷第期华中科技大学学报 C 自然科学版) 34 7 Vol.34 No.7 年月 C ) Z006 7 J. Huazhon Univ. of Sci. Tech. Nature Science Edition Jul Z006 g y p-Si TFT 的电场增强MILC制备技术曾祥斌 !华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉 430074# 摘要!采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜并采用该工艺制备了沟道薄膜p 晶体管器件其迁移率为 Z / C ) 开关态电流比为 6 采用拉曼光谱分析~ 射线衍射~ 扫描电镜 65cm V s 510 . X 等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用采. 用 EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸并用此技术制备了沟多晶硅p TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸 p-Si 薄膜和高性能p-Si TFT 的好方法. 关键词!金属诱导侧向晶化; 电场增强晶化; 多晶硅薄膜; 薄膜晶体管中图分类号! 文献标识码! 文章编号! C ) TN3Z1.5 A 1671-451Z Z006 07-0085-03 Pre aration of ol -si thin filmsand TFTsb electric-field p p y y enhanced metal-induced lateral cr stallizationy Zen Xian bin g g : Abstract Pol -Si thin film and ol -Si TFTs Were obtained and thin film transistors With a mobilit y p y y Z / C ) 6