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同步开关噪声的仿真方法 1 2 1 Chi-Te Chen , Jin Zhao , Qinglun Chen 1 Intel Corporation Network Communication Group, LOC4/19, 9750 Goethe Road, Sacramento, CA 95827 Tel: 916-854-1178, Fax: 916-854-1150 Email: qing-lun.chen@ 2 Sigrity, Inc. 4675 Stevens Creek Blvd. Suite 130, Santa Clara, CA 95051 Tel: 408-260-9344, Fax: 408-260-9342 Email: jzhao@ (原 文) 摘要 感电容耦合，及不同器件之间的耦合如电源/地平面与信号 本文论述了一种利用系统级信号完整性（SI）分析软 线网、过孔与信号线网等。 件仿真同步开关噪声（SSN）的全新方法；它结合了基于时 域有限差分（Finite Different Time Domain）的快速全 通过仿真研究，获取同步开关噪声数据并且比较不同 波电磁场分析器和电路仿真分析器。这种方案是基于分析 仿真条件下的结果。这些数据可以用来指导定义设计规范 对象的几何尺寸，材料，堆栈结构和基本电路信息。本文 或者用于芯片载体性能改善。同时因为考虑了基片片上互 采用2种不同芯片载体来说明同步开关噪声，一种是 连模型，所以仿真的结果更加接近实际情况。通过测试不 Organic Land Grid Array（OLGA），另一种是Wirebond Ball 同基片片上去耦电容值时的基片片上互连模型，发现有些 Grid Array（WBGA），二者都有40个驱动同时翻转。 去藕电容值会把电路的振荡引入到芯片载体和基片片上互 连系统中。为了找出谐振是如何导入系统的，测试了不同 几种不同的情况下，如有无芯片载体基片片上互连模 的基片片上互连模型，找出了电源/地互连系统的谐振频 型（on-die interconnection model），不同的基片片上 率，然后将其去除或者降低电源/地互连系统在数字系统工 去耦电容(on-die decoupling capacitor)值等均做了仿真 作频率附近的阻抗，这是减少电源/地噪声和SSN级别的关 比较。信号扭曲、过冲、振铃以及电源/地电压波动等同步 键。这些研究对于高速系统应用中的芯片、芯片载体分及 开关噪声（SSN）效应也分别做了仿真和比较。这些数据可 PCB设计和分析是非常具有指导意义的。 以用来制定设计规范指导书以及用于改善芯片载体性能。 可以肯定所有的这些研究对于高速系统