chapter3半导体中的平衡与非平衡载流子.pptVIP

杂质补偿半导体以Ei为参考的表达式为 (ND-NA)ni对应于强电离区； (ND-NA)与ni可以比拟时就是过渡区； 如果(ND-NA)ni，那么半导体就进入了高温本征激发区。 3.4 简并半导体及其载流子浓度 半导体中玻耳兹曼分布函数并不总是适用， n型半导体中如果施主浓度ND很高，EF就会与导带底Ec重合甚至进入导带，此时E-EFk0T不再成立，必须用费米分布函数计算导带电子浓度，这种情况称为载流子的简并化，服从费米分布的半导体称为简并半导体。 一、简并化条件 由n型简并与非简并半导体的n0/Nc与(EF-Ec)/(k0T)关系图 可见：简并与非简并半导体两者 n0/Nc的差别与Ec-EF的值有关， 因此用Ec-EF的大小作为判断简 并与否的标准 图3.3 不同分布函数得到的n0/Nc 与(EF-Ec)/(k0T)关系 二、简并半导体的载流子浓度 简并半导体的n0与非简并半导体计算类似，只是分布函 数要代入费米分布 因为 ，再令 ， ，上式化简为 其中积分 称为费米-狄拉克积分， 因此简并半导体的n0表达式为 下图是费米-狄拉克积分F1/2(ξ)与ξ的关系： 图3.4 费米-狄拉克积分F1/2(ξ)与ξ关系 例：究竟什么样的掺杂浓度会发生简并呢？如果Si中施主浓 度为ND，施主杂质电离能为ΔED，根据电中性条件n0=nD+， 代入nD+和简并时的n0表达式，得到 所以 简并时 Ec－EF=0，ξ=0，根据图3.4得到F1/2(0)≈0.6，所以 上式方括号内的值大于3，所以简并时NDNc，掺杂很高。发生 简并的ND还与ΔED有关，ΔED较大则发生简并所需要的ND也大； 另外简并化只在一定的温度区间内才会发生。 三、简并时杂质未充分电离 As在Ge和Si中的ΔED分别为0.0127eV和0.049eV，简并时 Ec-EF=0，经计算得到室温下的离化率分别只有23.5%和7.1%，因此简并时杂质没有充分电离。 尽管杂质电离不充分，但由于掺杂浓度很高，多子浓度还是可以很高的。 因为简并半导体中的杂质浓度很高，杂质原子之间相距较近，相互作用不可忽略，杂质原子上的电子可能产生共有化运动，从而使杂质能级扩展为能带。 杂质能带的出现将使杂质电离能减小，当杂质能带与半导体能带相连时，会形成新的简并能带，同时使状态密度产生变化。 3.5 非平衡载流子的产生与复合  准费米能级 一、非平衡载流子的产生与复合 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡 载流子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘 积为 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界 因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子 能量hγ≥Eg的光照射n型半导体，这 时平衡态条件被破坏，样品就处于偏 离平衡态的状态，称作非平衡态。 光照前半导体中电子和空穴浓度分 别是n0和p0，并且n0p0。光照后的非 平衡态半导体中电子浓度n=n0+Δn ，空穴浓度p=p0+Δp ，并且 Δn=Δp ，比平衡态多出来的这部分载流子Δn和Δp就称为非平 衡载流子。n型半导体中称Δn为非平衡多子，Δp为非平衡少子。 图3.5 n型半导体非平衡 载流子的光注入 光照产生非平衡载流子的方式称作非平衡载流子的光注入， 此外还有电注入等形式。 通常所注入的非平衡载流子浓度远远少于平衡态时的多子浓度。例如n型半导体中通常的注入情况是Δn n0，Δp n0，满足这样的注入条件称为小注入。 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少子浓度大得多。 例如：磷浓度为5×1015cm-3 的n-Si，室温下平衡态多子浓度n0=5×1015cm-3，少子浓度p0=ni2/n0=4.5×104cm-3，如果对该半导体注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=1010cm-3，此时Δnn0，Δpp0，满足小注入条件。但必须注意尽管此时Δnn0，而Δp(1010cm-3)却远大于p0(4.5×104cm-3)。 因此相对来说非平衡多子的影响轻微，而非平衡少子的影 响起重要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 非平衡载流子的存在使半导体