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第 38 卷第 1 期 微 电 子 学 Vol38 , No . 1 2008 年 2 月 Micr oelect r onics Feb2008 ·综 合 评 述 · CMOS 带隙基准源研究现状 1 2 1 幸新鹏 , 李冬梅 , 王志华 ( 1. 清华大学 微电子研究所 , 北京 　100084 ; 2 . 清华大学 电子工程系 , 北京 　100084) 　 摘 　要 : 　带隙基准源是集成电路中的重要单元 ,输出不随温度 、电源电压变化的基准电压或电流 。 简单介绍了 CMO S 带隙基准源的基本工作原理 ;指出了限制其性能的主要因素 ;分析了低电源电 压 、低功耗 、高精度和高 P SRR 四种类型的 CMO S 带隙基准源 。 关键词 : 　带隙基准源 ; 低电源电压 ; 低功耗 ; 高精度 ; 高 P SRR 中图分类号 : 　TN432 　　　　　　　 文献标识码 : 　A 　　　　　　 　文章编号 (2008) 0 1005707 　 An Overvie w of the Research on CMOS Bandgap Ref erence Sources XIN G Xinp eng1 , L I Don gmei2 , WAN G Zhihua1 ( 1. I ns t i t ute of M icroelect ronics , Ts i ng hua Uni v . , B eij i ng 100084 , P. R . Chi na; ) 2 . D ep t. of Elec . Eng i neer. , Ts i ng h ua Uni v . B eij i ng , 100084 , P. R . Chi na 　 Abstract : 　Bandgap reference source i s an import ant unit in int egrat ed circuit s , which supp lied reference volt age or current indep endent of t emp erat ure and supply volt age . The p rincip le of CMO S bandgap reference source wa s described , and t he design challenge was point ed out . Finally , CMO S bandgap reference sources wit h low supply volt age , low power , high p reci sion and high PSRR were analyzed , resp ectively . Key words : 　Bandgap reference source ; Low supp ly volt age ; Low power ; High p reci sion ; High PSRR EEACC : 　1290 　 容标准 CMO S