材料的介电性能培训讲义(54页).pptVIP

根据库仑定律：dS面上的电荷作用在球心单位正电荷上的P方向分力dF： dF= －（－Pcos?dS/4??o r2 ) cos? 由 qE=F 1×E=F E=F dE= Pcos2?dS/4??o r2 = (2?rsin? rd?)(Pcos2?/4??o r2 ) =Pcos2? sin? /2?o r2 d? 整个空心球面上的电荷在O点产生的电场为： dE由0到?的积分 洛伦兹场E2 ： E2 = P /3?o E3为只考虑质点附近偶极子的影响，其值由晶体结构决定，已证明，球体中具有立方对称的参考点位置，如果所有原子都可以用平行的点型偶极子来代替，则E3 =0。 Eloc=E0+Ed+P /3?o=E宏+P /3?o 根据 D= ?o E+P 得 P =D－ ?o E=（ ?1－ ?o ） E = ?o （ ?r－ 1） E 由 Eloc=E0+Ed+P /3?o=E宏+P /3?o 得 Eloc=（ ? r +2）E宏/3 设介质单位体积中的极化质点数等于n，则又有 P= ?n =n?Eloc 得 （ ? r －1 ）/（ ? r +2 ）= n? /（3 ?o ） 上式为克劳修斯-莫索蒂方程 3. 克劳修斯-莫索蒂方程 克劳修斯-莫索蒂方程的意义： 建立了可测物理量? r （宏观量）与质点极化率?（微观量）之间的关系。 克劳修斯-莫索蒂方程的适用范围： 适用于分子间作用很弱的气体、非极性液体、非极性固体、具有适当对称性的固体。 从克劳修斯-莫索蒂方程：讨论高介电常数的质点： （ ? r －1 ）/（ ? r +2 ）= n? /（3 ?o ） （ ? r －1 ）/（ ? r +2 ）-----? r越大其值越大 介质中质点极化率大，极化介质中极化质点数多，则介质具有高介电常数。 介质损耗 电介质在交变电场中极化时，会因极化方向的变化而损耗部分能量和发热，称介电损耗。 （1） 电导损耗 （2） 极化损耗 （3） 电介质结构损耗 是指电介质所含的微量导电载流子在电场作用下流动时，因克服电阻所消耗的电能。这部分损耗在交变电场和恒定电场中都会发生。 （1） 电导损耗 （2） 电介质结构损耗 是指陶瓷材料中往往含有玻璃相，以离子晶体为主晶相的陶瓷材料损耗主要来源于玻璃相。 （3） 极化损耗 这是由于分子偶极子的取向极化造成的。取向极化是一个松弛过程，交变电场使偶极子转向时，转动速度滞后于电场变化速率，使一部分电能损耗于克服介质的内粘滞阻力上，这部分损耗有时是很大的。 电子极化所需时间约10-15-10-13秒，原子极化需略大于10-13秒。但取向极化所需时间较长，对小分子约大于10-9秒，对大分子更长一些。 极性电介质在交变电场中极化时，如果电场的交变频率很低，偶极子转向能跟得上电场的变化，如下图（a），介电损耗就很小。 当交变电场频率提高，偶极子转向与电场的变化有时间差（下图（b）），落后于电场的变化。 偶极子取向随电场变化图 （a）电场交变频率低，偶极子转向与电场同步变化 （b）电场交变频率提高，偶极子转向滞后于电场变化 由此可见，只有当电场变化速度与微观运动单元的本征极化速度相当时，介电损耗才较大。 这是由于介质的内粘滞作用，偶极子转向将克服摩擦阻力而损耗能量，使电介质发热。 若交变电场频率进一步提高，致使偶极子取向完全跟不上电场变化，取向极化将不发生，这时介质损耗也很小。 实验表明，原子极化损耗多出现于红外光频区，电子极化损耗多出现于紫外光频区，在一般电频区，介质损耗主要是由取向极化引起的。 复介电系数 为复介电系数的实数部分即试验测得的介电系数 为复介电数的虚数部分，称为损耗因子 如何表征介电损耗？ 研究在交变电场中介质电容器的能量损耗情况。 首先考虑真空电容器，电容量为 ，若在其极板上加一个频率为ω、幅值为 的交变电压，则通过真空电容器的电流为： 式中，为 虚数单位。由上式看出，电流 的位相比电压