热处理方式影响磁控溅射HfO2高介电薄膜电学性能研究.pdfVIP

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2015-09-01 发布于安徽
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热处理方式影响磁控溅射HfO2高介电薄膜电学性能研究.pdf

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V01．40 第40卷增刊电子科技大学学报 Suppl． Journal ofElectronicScienceand ofChina Apr．2011 2011年4月 ofUniversity Technology 热处理方式影响磁控溅射Hf02高介电薄膜电学性能的研究魏勤香，叶葱，金迎春，王浩 (湖北大学物理学与电子技术学院武汉430062) rain退火和60s快速退【摘要】采用磁控溅射的方法在si(100)基底上制备氧化铪薄膜，并在500℃下的氮气中分别进行30 结果表明，制备态与30rain退火氧化铪薄膜样品为非晶结构，而快速退火处理样品呈结晶态．两种热处理方式均改善了氧化 30 rain与快速退火60 s相比，具有更小的表面粗糙度(RMs)、平带电压(‰=o．26V)和漏电流密度(J矽．7×10-7A／cm2@-IV)．关键词退火；电学特性：磁控溅射：Hf02薄膜中图分类号TB3 文献标识码A doi：10．3969／j．issn．1001．0548．2011．z1．054 Electrical of PropertiesMagnetronSputtering DielectricThin HeatTreatment Hf02 Films High by Hao WEI Cong，JIN WANG Qin-xiang，YEYmg-chun，and Electronic Wuhan and 07acultyofPhysics Taehnology,HubciUnivenity 430062) Abstractdielectrichafniumoxidefilmswere High grownon magnetron Si(100)substratesby sputtering wereheattreatedat500℃in for30minand thermal method，which nitrogenatmosphere rapid annealing(60s)， microstrucmrewasmeasured atomicforce respectively．The byX-raydiffraction()【lm)and andtheelectrical werecharacterized and properties bycapacitance-voltagecurrent-voltage resultindicatestIlat andannealedfor30min films the with thermal as-grown Hf02are