SnO_2微纳米材料的合成及其生长机理研究.pdf

第 58 卷 第 4 期 2009 年 4 月 物 　理 　学 　报 Vol . 58 ,No . 4 ,Apr . ,2009 ( ) 10003290200958 04 25726 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin . Phys. Soc . SnO2 微纳米材料的合成及其生长机理研究 贾 　曦 　刘爱萍 　刘洋溢 　王君伟 　唐为华 (浙江理工大学光电材料与器件中心 ,杭州 　310018) (2008 年 8 月 23 日收到 ;2008 年 11 月 28 日收到修改稿) 　　利用简单的化学气相沉积法 , 以 Sn 粉为源材料合成不同形貌的一维 SnO2 纳米棒 、纳米线和纳米花等纳米结 构 ,并通过减小载气中的氧含量获得新颖的 SnO2 亚微米环状结构. 通过调节 Sn 粉的量和载气中的氧含量 、升温速 率等试验条件 ,有效实现 SnO2 一维纳米结构的控制生长. 采用扫描电子显微镜 、能谱仪和 X 射线衍射仪表征产物 形貌 、成分和物相结构 ,并探讨了 SnO2 微纳米材料的生长机理. 关键词 : SnO , 纳米结构 , 亚微米环 , 生长机理 2 PACC : 6146 , 6150C , 8240 , 8115H ( ) 构 纳米棒 、纳米花 、亚微米环 及不同纵向和横向尺 ( μ 度的 SnO 纳米线 长度从 5 到 40 m ,直径从几十纳 1 引 言 2 ) ( ) 米到一百多纳米 . 采用扫描 电子显微镜 SEM 、X SnO2 是一种典型的金属氧化物型半导体材料 , ( ) ( ) 射线衍射 XRD 仪 、能量色散谱 EDS 仪等技术手 ( ) 段对不同条件下的合成产物进行表征. 并通过一系 禁带宽度为 36 eV 300 K . SnO 薄膜和块体材料在 2 气敏传感器 、电热转换层 、太阳电池 、透明电极等领 列探测试验对产物的生长机理进行探讨. 域已经得到广泛应用[ 1 —3 ] . 低维纳米 SnO 材料因具 2 有特殊的气敏性能和光电性能而成为一