一种新型电致近紫外发光材料的设计和合成.pdfVIP

2010年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会 Advancein orderedStructures PolymerLiquidCrysm厶andSupramolecular 一种新型电致近紫外发光材料的设计与合成 王勃，李凯，王成智，陈星鹏，郑世军’ 郑州大学材料科学与工程学院，郑州450052 关键词：近紫外发光聚合物；聚苯 21世纪是一个信息时代，作为信息来源的重要终端设备，显示器件也正历经 重大变革。有机电致发光显示器件以其制作工艺简单、驱动电压低、低能耗、易于 大面积制作等优点，正成为极具商业价值的下一代显示裂】。而近紫外光聚合物 电致发光材料有着很高的能量，利用其作为色转换结构发光源，透过荧光色转换材 料产生纯蓝、绿、红三种基色光，以提高光转换效率，从而便捷地实现全彩显示， 因此它在有机电致发光显示器件方面有着巨大的应用价值¨l。此外，近紫外光有 着诸多紫外光的优点，但对人体的损害比较小，因此在信息存储、照明、矿石鉴定、 舞台装饰、验钞等方面也有着非常重要的应用。 为了制备电致近紫外发光材料，借鉴了共轭高分子能带工程中的取代基修饰的 思路，即向共轭高分子主链引入合适的取代基，不仅可以增加聚合物的溶解性，还 可以通过不同取代基的立体及电子效应改变聚合物的共轭平面，从而调节聚合物的 能带隙[6-s]。聚苯是优良的蓝光发射材料，具有较宽的能带隙，经过合理的分子设 计有可能进一步增加聚合物的能带隙，从而得到近紫外发光材料。 本文从分子设计出发，设计了以聚苯为主链，三联苯衍生物为侧基的聚合物结 构，并通过Suzuki金属催化偶联反应，使川不同的共聚单体合成了主链上侧基密 度不同的单苯共聚物Pl和双苯共聚物P2。结构如下： ChemicalstructureofP Fig．1 l(1eft)，P2(right) 三联苯衍生物为液晶基元，以液晶基冗的重心位置从大分子链的两边与高分子 链相连，进而形成“篱笆结构。这利-结构由于侧甚之问大的位阻效应，聚合物主 国家一然科学基金(批准号资助：}联系人：zsj316氇zzu．edu．cn J：勃等：一种新型的电致时觜外发光材{{的设计1I合成 链极度扭曲，柏邻苯嗣、之问的二谢角变大，由此有望得到近紫外光发光的宽禁带聚 合物。同时侧链的增加和分子链的扭曲可提高大分子的i粹解性，减少分子链之问的 聚集，提高发j℃效率。 液晶性质、兜学性质进行丁袤征。通过GPC铡得聚合物PI靼P2的分予量分别为 l 9xl酽和2．4x104，相庸的聚合度分别为16和18。两个聚合物的分子量分布都比 较均。 2是聚合物的DSC曲线，P1和P2均有较高的玻璃化转变温度。偏光显微 Fig 镜观察(F培3，Fi94)t聚台物PI、P2在其液晶态温度范围内均可观察到清晰的破 锥织构。 }匿■■ nm矗右的吸收对彪钔是聚合物 6是聚合物的紫外吸收光谐，300 Fig5和Fig nm在右的吸收对应的是聚台物丰链的吸收。 侧链的吸收，340 l-j Sl口Lo*日t 5UV。vis Fig speclraofPI 6UV-vls Fig spectraofP2 8是聚台物的荧光激发及发射光谱幽。聚台物PI溶被的激发蜂呈 F-g7年盯F·g 350nm的发射峰对应的是侧龋的发剁，400hm的发劓峰对麻的是手链的艇射；聚 合物P2溶液的激发峰也呈现双峰，以280nm为激＆波长．发射蜂呈现申峰。这 乇勃等：一种新型的电致近紫外发光材料的设计与合成 是因为P2的侧基能量向高分子主链转移比较完全，侧链的发射被主链很好的吸收 了。聚合物P1旋涂膜的最大发射峰位置