TbCoCr非晶垂直磁化膜的磁特性.pdfVIP

第33卷 第11期 稀有金属材料与工程 V．01．33．No．11 2004年 11月 RAREMETALh懈ERIAI，SANDENGⅡ呵EERⅡqG November2004 TbCo／Cr非晶垂直磁化膜的磁特性 黄致新1，一，李佐宜1，但旭2，晋芳1，林更琪1 (1．华中科技大学，湖北武汉430074) (2．华中师范大学，湖北武汉4300791 摘 对TbCo非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明，cr底层的存在能够增强TbCo非晶垂直磁化膜的 薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现，厚度为120nm，并带有180nm厚度cr底层的Tb，。C。，薄膜的矫顽力 和磁各向异性能分别高达51．2×104A／m和O．457 各向异性能分别只有35．2×104A／m和0．324J／cm3。Hitachix．650型扫描电镜的观测结果表明，带有cr底层的 Tbco薄膜具有柱状结构，这1一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。 关键词：磁性；TbCo／Cr薄膜；磁控溅射 中图法分类号：0484．43 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2004)11．1157．04 1 引 言 璃，溅射时不加偏压而且保持基板水冷。复合靶成 由于稀土．过渡金属非晶薄膜在磁光【11(MO)及光分的调节是靠调整co靶上所放置的Tb片数目来实 磁混合记录【21(HybridRecording)方面有着极其重要现的。为了保证TbCo薄膜不易被氧化和磨损，表 的应用，使之成为当今物理科学与磁记录技术方面 面还溅射了一层Si02保护膜。膜层溅射顺序为Cr底 的研究重点。在所有稀土．过渡金属非晶薄膜中， TbCo薄膜由于其高的矫顽力，大的磁各向异性而倍射气压和溅射时间等参数对薄膜特性有一定影响【5】， 受关注【3】。但是，在采用溅射法制备TbCo薄膜时， 因此必须选择合适的溅射工艺参数。这里，Cr底层、 为了获得较大的垂直磁各向异性往往需要给衬底加 w、 375 偏压。而通常被用作光磁混合记录或磁光记录的薄 W和300w。溅射气压均为0．53Pa。膜层厚度 膜都是被溅射在玻璃或有机衬底上的，因此，采用 靠溅射时间控制并由表面型貌仪测定。样品的磁性 衬底加偏压的方式不太合适，有必要寻找其它更合 能由振动样品磁强计(VSM)和磁转矩测量仪测定。 适的方法来增加其垂直磁各向异性。另外，金属Cr 薄膜的相组成，微观组织及成分则分别采用XRD， 底层在被用作纵向磁记录介质的Co基合金薄膜中起 着重要作用，一般认为金属Cr底层的存在有助于具 下所制备的薄膜样品磁性层的组成相为Tb，。Co。，。 有六角密排(hcp)结构的Co合金薄膜的外延生长， 3结果及讨论 提高其面内磁晶各向异性【4]。为了获得具有较高磁各 向异性的TbCo薄膜，本实验采用磁控溅射法制备了 带有金属Cr底层的TbCo非晶薄膜，并就金属Cr 底层对TbCo薄膜磁性能的影响进行了研究。 结晶相的衍射峰存在。由此可以认为在基片水冷情 形下，溅射制备出的TbCo薄膜呈现非晶态。 2 实 验 ～ 图1给出了磁场分别平行于和垂直于样品表面时， TbCo薄膜的制备是在ANELVA公司制造的 采用振动样品vSM测定的TbCo(120nm)／Cr(180nm) 收到初稿日期：2003．03．31；收到修改稿日期：2003．05．27 基