VO2(B)薄膜的制备及特性优化研究.pdfVIP

W电子·澈W of V01．19No．10Oct．2008 第19卷第10期2008年10月Journal Optoelectronics·Laser VQ(B)薄膜的制备及特性优化研究* 魏雄邦一，吴志明，王 涛，许向东，蒋亚东 (电子科技大学光电信息学院，电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都010054) 摘要：采用直流磁控溅射法，在纯氩气氛中溅射v2Q靶材，在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧 化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理。利用XRD对薄膜的晶相进行了分析，结果表明退 火处理前和退火处理后的薄膜都具有VOz各晶面的取向，Ⅺ)S分析证明了XRD的物相分析结果。对薄膜的 方阻特性的测试表明生成的薄膜是典型的v(五(B)薄膜，退火后的薄膜方阻减小，方阻温度系数也降低。在此 基础上，利用薄膜晶界散射理论，通过改变薄膜沉积时间和沉积温度使薄膜的方阻和方阻温度系数随薄膜厚度 和晶粒大小而变化，从而使薄膜的电性能达到优化。 关键词：voz(B)薄膜；直流磁控溅射；方阻；方阻温度系数 中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)10-1361—05 of andcharacteristicsof films V0l(B)thin Studypreparation optimization WEI Tao，XU Xiong-bang一，WUZhi-ming，,WANGXiang-dong，JIANGYa-dong of ofElectronicThinFilmsamt (School Information，StateLaboratory IntegratedD晰ces，Uni— Optoelectronie Key ofElectronicand of Science 6100154，China) versity TechnologyChina(UESrC)，Chengdu thinfilmswere Oilsubstrates DC merh— Allstraa：Vanadiumo妃de deposited in argonconditionma，gnetronsputtering pure by od．The wete sliceswhichwerecovered nitridethinfilm the WaSVRlla- substratesP(100)silicon silicon by layer。andtarget dium thinfilmswere with in vacuunL ofthe pentoxide．Thedeposited post-annealedIIightemperature Crystallization