ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究.pdf

陈祝等 ZHO掺杂 Li+ 陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究 583 ZHO掺杂Li+ 陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究。 1 1 Z 1 1 1 1 1 陈祝 9张树人 9杜善义 9杨成韬 9孙明霞 9郑泽渔 9李波 9董加和电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都 1. 610054 Z.哈尔滨工业大学复合材料研究所黑龙江哈尔滨 150001 摘要! 利用固相反应成功地制备了直径为 70mm9 ZHO薄膜制备是采用日本 ULVAC 公司生产的厚度为的掺杂离子陶瓷靶材O研射频磁控薄膜溅射系统溅射前先将 10 15mm Li ZHO MB0Z-9303 9304 究了不同摩尔浓度的离子掺杂靶材9并对其绝缘电系统真空抽至 -4 衬底温度为室温溅射气 Li 1.710 Pa 阻与损耗进行了分析比较9最终确定离子的最佳掺体为混合气体纯度 Li Ar OZ Ar OZ = Z0 3 Ar 杂量为 Z.Zl% 摩尔分数 O同时通过在不同温度烧结纯度 99.9% 溅射功率为 50W 溅射时 99.95% OZ 试验不同成型压力试验确定了 ZHO靶材制备的最佳沉积气压保持在 0.Z 0.8Pa 衬底基片材料分别是工艺9并通过所制备的 ZHO-Li 陶瓷靶9采用射单晶和厚度 0.0ZZ RF Si 100 Pt 111 Ti SiOZ Si 100 1. 频磁控溅射技术在玻璃载玻片及玻璃基片在沉积薄膜之前分别用无水乙醇丙 Si 100 Pt 0mm 基片上制备出高度轴酮和去离子水进行超声清洗处理正式溅射前先预溅 111 Ti SiOZ Si 100 C 00Z 择优取向均匀致密的 ZHO薄膜O 射靶 30miH 绝缘电阻与损耗测量采用 Automatic 关键词! 陶瓷靶氧化锌薄膜射频磁控溅射择优取 LCR Merer 4ZZ5 自动测量仪结构性能分析采用英国向 Bwde公司生产的 Bede d1 S Stemy 多功能射线衍射中图分类号! 文献标识码! 仪薄膜表面形貌观察与晶粒尺寸分析采用日本 N304.Z TB43