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YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究.pdf
39卷第6期 人 工 晶 体 学 报 v。1．39N。．6
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YSZ基片上TI-2212超导薄膜的
制备及其特性的研究
谢清连1’2，游峰1，蒙庆华2，季鲁1，
周铁戈1，赵新杰1，方 兰1，阎少林1
(1．南开大学信息技术科学学院，天津300071；2．广西师范学院物理与电子工程学院，南宁530001)
及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响。XRD和SEM测试表明，在经过合适条件退火的基片和CeO，缓冲层上，
所生长的TI-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向。最佳样品的临界转变温度(r)和临界电流
密度为(L)可以分别达到107．5K和4．24MA／cm2(77K，0T)。实验结果表明，采用该工艺所制备的不同厚度11．
2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求。
关键词：T1-2212超导薄膜；YSZ；CeO，缓冲层
中图分类号：0484．1 文献标识码：A
and
CharacterizationofTI-2212
Preparation
FilmsonYSZSubstrates
Superconducting
XIE
Qing-lianl”，YOUFen91，MENGQing—hua2，JlLul，ZHOU
Tie．gel。
ZHAO Shao．1inl
Lanl，YAN
Xin-jiel，FANG
ofInformation
Technical
(1．College Science，NankaiUniversity，Ti趴jin300071，China；
of andElectronic TeachersEducation
Physics
2．College Engineering，Guangxi University，Nanning530001，China)
28 17
(ReceivedJuly2010，acceptedSeptember2010)
buffer with andrn-2212 filmswere on
Abstract：Ce02layers hiigh
quality superconductingprepared
stabilized of
(001)yttriumzirconia(YSZ)substrates。andtheeffectthethicknessofT1-2212filmsOilits
been
have studied．TheXRDandSEMmeasurementsshowedthat of
superconductivi
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