X波段GaN单片电路低噪声放大器.pdfVIP

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X波段GaN单片电路低噪声放大器.pdf

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X波段GaN单片电路低噪声放大器.pdf

第31卷第l期固体电子学研究与进展 V01．31，No．1 SSE Feb．，2011 ZOll年2月 OF RESEARCHPROGRESS X波段GaN单片电路低噪声放大器周建军+ 彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平 (单片集成电路和模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016) 2010一li-08收稿，2010—12—02收改稿 GaN 摘要：采用0．25肛m V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2．2dB的噪噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构，lo 声系数，增益达到18dB以上，耐受功率达到了27dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应，并进行了相应讨论。关键词：低噪声放大器；微波单片集成电路；氮化镓高迁移率晶体管中图分类号：TN722．3；TN43文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)01—0016—04 X-bandGaNMMICLowNoise Amplifier LI ZHOU PENG KONGCen Jianjun Longxin Zhonghui CHEN JIAO LI TangshengGangJianping (National ofMonolithic CircuitsandModules， KeyLaboratory Integrated ElectronicDevices Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) GaNMMIClownoise basedon0．25 Abstract：A pmA1GaN／ highperformance amplifier GaNHEMT onSiCsubstrateis intheX—band．Anoise technology presentedoperating figureⅣF under10V．AndalinearGoftheMMIC below2．2dBiSmeasuredfrom8．5～10．5GHz gain than18dBisalsomeasured．The oftheLNAisassessedthestress—tests， higher survivability by the inthe to27dBmfor10 stress—tests。a effectofth