Y2O3∶Bi,Yb减反转光薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

Y2O3∶Bi,Yb减反转光薄膜的制备及其性能研究.pdf

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第36卷第l期 发 光 学 报 V01.36No.1 Jan..2015 2015年1月 CHINESE OFLUMINESCENCE JOURNAL JD027舶 文章编号:l000-7032(2015)01 Y2 03:Bi,Yb减反转光薄膜的制备及其性能研究 林 捷,王如志8,盖 红,王 波,严 辉 (北京工业大学材料科学与工程学院,北京100124) 摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的si(100)衬底上制备了Y:o,:Bi,Yb减反转光薄膜。所 制备的薄膜在300—800nm波长范围内的平均反射率最低至5.28%,同时在晶体硅太阳能电池最佳响应范 围内的980nm附近表现出了良好的下转光特性。与非减反下转光薄膜相比较,具有减反结构的Y:0,:Bi,Yb 下转换薄膜的转光强度有了明显的提升。随着衬底腐蚀时间在一定范围内的延长,Bi3+和Yb“的发射峰强 度线性增大。该减反转光薄膜为太阳能电池效率提高提供了一种简单可行的方法。 关键词:太阳能电池;减反陷光;下转换;Y20,:Bi,Yb薄膜;腐蚀时间 中图分类号:0482.3l 文献标识码:A DoI:10.3788/fgx0027 ofAnti-renection Preparati帆andProperties Film Down-conversionwith Bi3+,Yb3+Co-dopedY2 03 LIN Hui Jie,WANGRu—zhi+,GEHong,WANGBo,YAN (cof妇eo,肘血把砌厶sc据,埘口耐En百n即一凡g,咖增咖觇乃蚵0,‰^加蛔,&坑ng100124,吼i船) }co御。础ngAmb,,E—m口订:埘昭@驰.甜Ⅱ.cn down—conversionfilmhasbeen the laser Abstract:Bi3+,Yb3+co-doped03 preparedby pulse Y2 on withthe ofmetal-assistedwet techniqueSi(100)substmteway etching.TheaVemge deposition of 300 renectanceofthefilmhasaminimumvalue5.28%intheVisible f而m to800nm.Un- re百on 311 film in best der nm canemit980nm whichis the to excitation,the

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