ZnO纳米电缆的制备、结构和生长机理.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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! 物理化学学报 !#$ %’( )(*+,! #$% -./+ 01234 !51$67 8$9’ !#$ !%()* )+,!)-. )+, ’( 纳米电缆的制备结构和生长机理! 贺建! 黄运华! 张跃!# 顾有松! 纪箴! 周成! / 北京科技大学材料物理与化学系北京 $ 2 北京科技大学固体电解质冶金测试技术国家专业实验室北京 ( 0 /...1+ 0 /...1+3 摘要以混合的锌粉和锡粉作为原料通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有芯线壳层同 % 0 轴结构的纳米电缆扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆的产量很高长度达到数个微米并且 4$56785’ 0 0 0 % ’ ( #’ ( ’ ( 确认了其芯线壳层的独特结构不同于以往一维纳米材料的三个快速生长方向及 4$5 .../ .//. 2//. 0 其芯线的生长方向为本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂通过控制锌粉的蒸发速率以 4$5 92.2/: 0 # 及金硅共熔反应使纳米电缆在硅基片上得到一维生长这种纳米电缆可望在纳米尺度的电路电器以及力 4$5 学和光学信号的耦合和转换方面得到应用关键词纳米电缆氧化锌氧化硅制备生长机理 0 0 0 0 中图分类号 ;+1+ 材料具有优异的透明导电性能其室温带换器件 4$5 0