ZnO纳米线双绝缘层结构电致发光器件制备及特性研究.pdfVIP

第56卷第4期2007年4月 物理 学报 ACrA SINICA 1000．．3290／2007／56(04)／2399．．06 PHYSICA ⑥2007 Chin．Phys．Soc． ZnO纳米线双绝缘层结构电致发光器件 制备及特性研究* 常艳玲 张琦锋’ 孙 晖 吴锦雷 (北京大学信息科学技术学院，纳米器件物理与化学教育部重点实验室，北京100871) (2006年6月27日收到；2006年12月13日收到修改稿) 在利用液相法生长ZnO纳米线薄膜的基础上，构造成功基于ZnO纳米线双绝缘层结构的交流电致发光器件． 此器件呈现出良好的阻容特性，在室温下以一定频率的交流电压驱动，可观察到近紫外波段387iim处和可见光波 段552nln处的发射谱带．从阻容结构的导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了这种器件的电致发光 机理及频率特性． 关键词：ZnO，纳米线，电致发光 PACC：7280E，7860F p-n结仍然存在较多困难．于是人们尝试利用与ZnO 1．引 言 具有相似的禁带宽度、纤锌矿晶体结构及较低的晶 ZnO半导体材料因其优越的光电特性可以用来 研究了ZnO纳米线在电场或电流驱动下的发光特 制作各种光电子器件，例如光波导器件…、声光器 性．但由于异质p-n结界面上会形成势垒，降低载流 件旧o、表面声波传感器b1等．特别是由于室温下ZnO子的注入效率，因此发光效率并不高，而且未能观察 半导体材料的禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为 到明显的紫外发射峰． 60 meV，因此它是一种理想的构造室温低阈值短波 本文探讨了一种利用液相法生长ZnO纳米线 构成的双绝缘层型交流电致发光(EL)器件，在室温 长发光器件04-mo的材料．人们已经探索出多种ZnO nm 纳米结构的制备方法，并且通过多种表征手段发现 环境下可以明显地观察到位于近紫外波段387 ZnO纳米线不仅具有完善的单晶结构和六角柱形几 处较强的ZnO本征光发射． 何形貌，而且ZnO取向附生膜和单晶ZnO纳米线均 可以表现出良好的光电特性¨1-1引，因此ZnO纳米 2．实 验 线十分有希望用来制造新型短波长半导体纳米激 光器‘13t15’16|． 2．1．材料生长 目前，人们已经较为深入地研究了ZnO纳米线 的光致发光行为，发现室温下利用光抽运ZnO纳米 线会令ZnO纳米线有紫外激光发射行为n3’15]．为了 氧化的硅片表面上生长ZnO纳米线．首先将表面干 实现ZnO纳米线在发光器件领域中的应用，人们展 净的硅片在纯氧中高温氧化4h，使硅片表面形成一 层厚度约为120—150 开了对ZnO薄膜及有关纳米结构室温电致发光特 nm的SiO：绝缘层，并用丙酮、 性的研究．但由于ZnO半导体材料的P型掺杂问题乙醇、去离子水依次超声清洗干净作为衬底．在 mL的O．03mol／L的 始终没有得到很好的解决，因此利用ZnO构成同质 60℃水浴加热条件下，将65 然科学基金(批准号：4042017)资助的课题． t通讯联系人