不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究.pdf

第28卷第6期无机化学学报 V01．28No．6 CHINESE OFINORGANICCHEMISTRY l 177一l182 2012年6月 JOURNAL 不同形貌InxGa。“纳米材料的制备及发光性能研究刘海瑞12赵丹12梁建12张竹霞12刘旭光13贾虎生。∞许并社1’2 (t太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原030024) (2太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024) (3太原理工大学化学化工学院，太原030024) 貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的“塔”状结构：虽然在催化剂Au的作用下生成的I仉Ga．』∞=o．25)形貌发生了很大变化．但晶体结构未发生改变，均为六方纤锌矿结构：PL分析结果显示ln，Ga，，N纳米结构的发光性能随着In含量的增加，发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区，在催化剂Au的作用下生成的IrkGa．，N的发光强度最强。最后对不同形貌I心Ga，，N其生长机理做简单分析。关键词：lnGaN纳米品；Au催化；六方纤锌矿结构；PI．谱中图分类号：0649 文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2012)06-1177-06 Fabricationand ofDifferent hlxGal。NNano-Crystals OpticalProperty Morphologies LIUHai—RuiuZHAODanloLIANG ZHANGZhu．Xia啦 Jiann LIU JIA XU Xu．Guan913Bu．Sheng+·10Bing-Shelo and Science inAdvancedMaterials LaboratoryofIntelface Engineering (1Key 030024,China) (MinistryofEducation)．TaiyuanUnivers酊ofTechnology,Taiyuan MaterialsScienceand Unen蚵ofTechnology,Taiyuan030024,China) (2Collegeof Engineering,Taiyuan and Chemical 030024,China) (3CollegeofChemistry Engineerin吕TaiyuanUniversityofTechnology,Taiyuan of were Sisubstrates Abstract：Different hGal』仁=0，0．25)nanomaterialspreparedupon by morphologies asthesourceof PressureChemical