光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充.pdfVIP

第27卷，第11期 光谱学与光谱分析 2oo7年11月 aIld Analysis November。2007 SpectroscopySpectml 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充 贾国治1，姚江宏¨，张春玲1，舒 强1，刘如彬1，叶小玲2，王占国1，2 1．南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室， 天津市信息光子材料与技术重点实验室，南开大学泰达应用物理学院，天津300457 2．中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京100083 摘要采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上，制备了hAs量子点，对样品进行原子力显微镜 测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰 均占主导地位，原因可能是：(1)大量子点的态密度小于小量子点；(2)捕获载流子速率，大量子点小于小量 子点；(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷，导致温度变化引起载流子从小尺 寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。 关键词光致发光谱；量子点；双模分布；态填充 中图分类号：0472．3文献标识码：A 文章编号：1000—0593(2007)11—2178一04 中的带填充效应，量子点密度以及盖层应变形成势垒对载流 引 言 子捕获的影响。 近年来，低维半导体结构由于潜在的应用前景，受到了 1实验 广泛关注[1．3]。量子点(quam唧dots，Q】Ds)对其中的载流子 (如电子、空穴和激子)有强三维量子限制作用，表现出一系 样品是利用固态源分子束(Riber，compact21)外延生长的， 列新颖的物理特性。了解量子点的尺寸分布、大小、密度等 对材料性能的影响，对制备具有优异性能的半导体器件具有 下生长了岛As缓冲层200rm，接着在500℃下，生长厚度 重要意义。双模量子点是通过自组织的方法获得的一类比较 特殊的尺寸分布量子点阵列，这种量子点的光致发光(Pho—层，量子点层和盖层重复3个周期，最后在与前面量子点相 tolulTlinescence，PL)谱中会出现两个相对比较强的发光峰。 同的条件下制备1层没有盖层的量子点，用于删形貌分 通过双模量子点变温PL的观测，对载流子在双模量子点中 析。 的逃逸、俘获以及损耗过程已经进行了研究阻10]。主要认为： 随着温度的升高，载流子会被热激发逃逸到浸润层和盖层， 2结果与讨论 逃逸到浸润层中的载流子会在不同的量子点之间转移。这对 于理解量子点中载流子分布、温度依赖性等重要的物理过程 2．1量子点尺寸分布 具有重要意义，为研制高质量的半导体量子点器件提供了理 论基础。 量子点样品进行了形貌测试。图1给出了1舯×1脚的 本文通过对GaAs(100)衬底上制备的白组织IrAs双模hA5／QAs量子点的形貌图。对AFM结果进行统计分布， force 量子点PL谱和原子力形貌(ato商crnjcmscopy，AFM)量子点密度大约为1．8×1010咖～，平均高度约为5啪，横 分析，发现在室温和77K温度下小量子点发光占主导地位， 向尺寸约为40衄，量子点的横向尺寸和高度均成双模分 这与文献报道结果完全不同。对样品低温(77K)变功率PL布。对高度进行统计分布(图1右上角插图)，量子点的高度 谱的实验研究，分析了双模分布量子点随激发功率变化过程 收稿日期：2006．06—18。修订日期：2006-09—26 作者简介：贾国治。1978年生，南开大学泰达应用物理学院博士生 ed也cn *通讯联系人 }撇il：yao