1. 1 PN结及其单向导电性课件.ppt

1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.1.2 N型半导体和 P 型半导体 PN结的形成 1.1.4 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 二极管的单向导电性 1.2 半导体二极管 1.2.1 基本结构 1.2.2 伏安特性 1.2.3 主要参数 1.2.4二极管的应用(二极管电路分析举例 ) 2. 各电极电流关系及电流放大作用 2.1.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2.1.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 工作状态（晶体管工作状态的判定） 放大 截止 饱和 1.根据PN结 UBE ＞0 UBE ≤0 UBE ＞0 偏置电压 (正偏) (反偏) (正偏) UB C ＜0 UB C ＜0 UB C ≥0 (反偏) (反偏) (正偏) 2.根据 IB 0＜ IB ＜IBS ≈0 ≥ IBS IB IC IE IC ＝ ? IB ≈0 ＜ ? IB IE ＝ IB ＋ IC ≈0 ＜ (1+?) IB IBS =EC － UCES / ?RC 硅管临界饱和UCES =0.5V 深饱和UCES ≈0.1~0.3V 工作状态（晶体管工作状态的判定） 3.测量管压 UBE UCE 放大 0.7V UCE S＜ UCE ＜ EC 截止 ≤0 ≈EC 饱和 ≥0.7V ≤ UCE S 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。100左右为宜。 * * 1. 1 PN结及其单向导电性 1.半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将