9射频磁控溅射ZnOAl薄膜结构与性能的影响.pdfVIP

第25卷，第3期 光 谱 实 验 室 V01．25。NO．3 200 ChineseJournal 0 0 8 8年5月 ofSpectroscopyLaboratoryMay，2 氩气压强对射频磁控溅射ZnO：AI薄膜 结构和性能的影响 刘著光①口杨伟锋4 吕英4黄火林4吴正云“6 4(厦门大学物理系福建省厦门市361005) 6(厦门大学萨本栋微机电中心福建省厦门市361005) 摘 要 薄膜在可见光区平均透射率高于90％，光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。 关键词RF磁控溅射，透明导电薄膜，Az0薄膜。 中图分类号：0657．39文献标识码：A 文章编号：1004—8138(2008)03—0425—03 1 引言 透明导电氧化物(TCO)具有低的电阻率、可见光区高的透射率，在光电领域有着广泛的应用 前景啪。目前在TCO材料中以产业化的ITO材料最为成熟，但铟为稀有元素并且会引进重金属污 染，所以迫切要求开发非铟系的透明导电氧化物材料来替代ITO。ZnO基材料因其具有较好的化 学和机械稳定性，高的抗还原性且自然界储量丰富，被认为是最具发展潜力的ITO替代材料n’2]。 机物化学气相沉积(MOCVD)[6]以及各种方法的 磁控溅射等[17]。其中磁控溅射有着成膜均匀致 密且工艺简单，成本低等优点。本文采用射频磁 控溅射法在玻璃衬底上制备AZO薄膜并就Ar 气偏压对薄膜的组织结构、电学、光学性能的影 响进行了研究。 2 实验部分 实验采用的靶材国产为ZnO；AI。O。陶瓷 靶，纯度99．99％，A1。O。的掺杂量2．0wt％；衬底 为石英玻璃，制备前用甲苯、丙酮、乙醇及去离子 20 40 60 80 X 扫描们度200 · 水进行超声清洗；溅射前本底真空达到8 10—4 图1不同氩气压强下AZO薄膜的XRD谱 Pa，电离气体为99．999％的高纯氢气。溅射采用 HI。5500Hall de System利用Van Pauw方法测试薄膜的载流子浓度，迁移率以及电阻率。薄膜结构 采用荷兰PANalytical公司的X’pert PRO粉末X射线衍射仪进行分析，表面形貌采用日本 ①联系人，手机：(0E-maillliuzgzgbq@hotmail．corn 作者简介：刘著光(1980一)．男．福州市人，在读硕士研究生．主要从事ZnO：AI透明导电薄膜的研究和应用工作。 收稿日期：2008—03—04；接受日期，2008—04—02 万方数据 光谱实验室 第25卷 行测试。 3 结果与讨论 峰[z]，表明所沉积的AZO薄膜具有六角纤锌矿结构呈c轴择优取向，晶粒垂直于衬底方向柱状生 射峰强度又明显减小，这说明当压强为1．2Pa时AZO薄膜具有最好c轴择优取向性。这是因为此 时溅射出的原子在薄膜表面有较高的迁移率，使之更容易到达晶格平衡位置c2]。图2为不同溅射压 O．4PaRMS25．91nm 1．2PaRMS=6．16nm 2．0PaRMS=3．99nm 图2不同氩气偏压下AZO薄膜的表面三维形貌与粗糙度 T 12 ≥ ’ 吖