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王海云 刘红艳 徐岳生 刘彩池
( 300130)
本文采用 X 射线衍射仪 (XRD), 通过异常透射对半绝缘砷化镓 ( SIGaAs) 形
貌及缺陷进行研究在没有特殊工艺措施 情况下, LEC法生产 SIGaAs单晶片 周
边区域, 都存在有高密度位错 相互作用割阶和缠绕 产物-胞状结构X 射线形貌技
术可以显示 SIGaAs中 高密度位错 结构与分布, 从而评估其质量
X 射线衍射仪 异常透射 小角度晶界 胞状结构
X X
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X (X Ray D iffraction To
pography) XRT
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