Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长和其特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 8 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 8 2005 年 8 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Aug . ,2005 Ga 掺杂 ZnO 薄膜的 MOCVD 生长及其特性 朱顺明　叶建东 　顾书林 　刘松民　郑有火斗 　张 　荣 　施 　毅 (江苏省光电功能材料重点实验室 , 南京大学物理系 , 南京 　2 10093) ( ) 摘要 : 利用低压 MOCVD 技术在 0002 蓝宝石上外延获得高质量的 ZnO ∶Ga 单晶薄膜 ,并研究了 Ga 的不同掺杂 浓度对材料电学和光学特性的影响. 当 Ga/ Zn 气相摩尔比为 32 at %时 ,ZnO (0002) 峰半高宽仅为 026°,载流子浓 度高达 247 ×1019 cm - 3 ,透射率高于 90 % ;当载流子浓度升高时 ,吸收边出现明显的Bur st einMo ss 蓝移效应. 同时 室温光致发光谱显示 ,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移 ,峰形展宽 ,这和 Ga 高掺杂所引起的能带重整化 效应有关. 当 Ga/ Zn 比达到 63 at %时 , 由于高掺杂浓度下 Ga 的自补偿效应导致载流子浓度下降. 关键词 : 氧化锌 ; 掺杂 ; Bur st einMo ss 效应 ; 能带重整化 ; 金属有机化学气相外延 PACC : 8115 H ; 6855 ; 7 155 F 中图分类号 : TN 3042 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) ZnO 材料主要通过分子束外延和金属有机化学气 1 　引言 相外延等技术等获得. Ko 等人[4 ] 通过 PMB E 方法 在 GaN 衬底上获得了载流子浓度高达 1 13 ×1020 ZnO 是一种直接带隙半导体材料 ,室温下禁带 cm - 3 的 ZnO ∶Ga 单晶薄膜. 最近 ,Zhong 等人[ 5 ] 利 宽度为 337eV ,束缚激子能高达 60meV , 因此是继 用 MOCVD 方法在熔融石英衬底上获得了 ZnO ∶ GaN 材料之后备受关注的制备短波长发光器件的 Ga 的单晶纳米针列 , Ga/ Zn 的摩尔比仅为 15 × 优选材料[ 1 ] . 同时 , ZnO 本身具有很好的电学特性 10 - 3 , 电阻率为 4 ×10 - 3 Ω ·cm ,但具体载流子浓度 和化学稳定性 ,在透明电极 、平面显示和太阳能电池 并未给出. 本文利用低压 MOCVD 技术在蓝宝石衬 等领域应用很广[2 ] . 未掺杂的 ZnO 材料多为 n 型 , 底上外延获得了载流子浓度高达 247 ×1019 cm - 3 其典型的电子浓度约为 1017 cm - 3 [3 ] ,远不能满足平 的 ZnO ∶Ga 单晶薄膜 , 并观察到明显的 Bur st ein 面显示 、透明电极和激光二极管等光电器件研制的 Mo ss 效应和能带重整化效应. 通过改变 Ga/ Zn 的 要求. 因此必须通过故意掺杂来调制 ZnO 材料中的 气相摩尔比,研究了不同掺杂浓度对材料的结构 、电 载流子