900℃空气退火对L-MBE生长ZnO薄膜发光特性影响.pdfVIP

900℃空气退火对L-MBE 生长的ZnO 薄膜发光特性 的影响1 1 1 1 1,2 1 1 1 王东 ，张景文 ，韩 峰 ，张新安 ，毕臻 ，边旭明 ，侯洵 1 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室，陕西西安（710049 ） 2 河南大学物理与信息光电子学院，河南开封（475001 ） E-mail ：chankwang@ 摘 要：本文采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底（0001 ）上生长了高度c 轴择优取向的高 质量ZnO 薄膜，对生长的薄膜在空气中进行900℃ 退火处理，并对退火前后样品的结晶质 量、发光特性进行x 射线衍射（XRD ）、变温光致发光（PL ）研究。退火处理后的ZnO 薄 膜（0002 ）面XRDθ-2θ 扫描曲线强度明显增强。在光致发光实验中，观测到薄膜分别在 3.352eV、3.309eV 和 3.237eV 附近3 个明显的近紫外发光峰，分别对应自由激子发射、中 性施主或受主束缚激子I9 及其声子伴线 1LO。随着温度升高，峰位逐渐向长波方向移动（即 “红移” ），半高宽（FWHM ）逐渐展宽；发光谱中，来自于晶体缺陷的深能级（DL ）区发 光强度极小。 关键词：激光分子束外延、ZnO 、退火、光致发光、激子 1 引言 氧化锌（ZnO ）是一种六方纤锌矿结构直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下 禁带宽度约为 3.37eV[1] 。ZnO 由于其优良的光学、电学和机械性能，近年来成为继GaN 等 Ⅲ- Ⅴ族化合物材料后，国内外研究的热点。ZnO 体材料具有 60meV 的激子束缚能，其自由 [2] 。ZnO 薄膜的光致发光谱主 激子可以在室温（26meV ）下存活，因此能实现高温激子发射 要有两个发光峰：即近带边（NBE ）的紫外发光峰，和位于可见光区的深能级（DL ）发光 [3][4][5] 峰。前者被认为主要来自于激子跃迁，后者一般被认为是来源于薄膜材料本征点缺陷 ： 如锌间隙、氧间隙、氧空位和锌空位等。 退火工艺是半导体材料改性的一种常见方法。目前对于 ZnO 薄膜材料的退火研究有很 多报道，可以看出退火对于薄膜的结晶性能、电学性能和发光性能都有显著的影响。不同的 退火条件，使半导体内的晶格原子重新进行排布，消除薄膜内的应力和缺陷，提高薄膜的纯 度[6] 。对于ZnO 薄膜的退火气氛常有：真空、空气、氧气、氮气及混合气氛等，其对于 ZnO 薄膜发光性能的作用有相当大的差异性。 -3Pa ）生长ZnO 薄膜 Zn 和 O 比例失衡 本文主要针对激光分子束外延法在高真空下（10 （主要是缺O ）的特点，采用空气气氛在较高温度下对生长的 ZnO 薄膜进行退火处理，并 对退火前后薄膜的结晶性能和发光性能进行了较为系统的研究。 2 实验 本文采用自行研发的国产激光分子束外延系统（L-MBE ），靶材为进口高纯 ZnO 靶， -6Pa ；衬底为进口c 面蓝宝石衬底(0001)Al O ，生长前经过酸腐蚀，超声清洗， 本底真空为 10 2 3 再用高纯氮气吹干；靶材为进口高纯氧化锌靶，纯度为 99.995%；生长时衬底温度为750℃， -3Pa 。外延 生长气氛为高纯氧气，纯度 99.995%，氧气流量20sccm，通入氧气后真空度为 10 1基金项目：高等学校博士点基金（项目号：2