Ag掺杂p型ZnO薄膜和其同质结的光电性质.pdfVIP

第29卷 第2期 发 光 学 报 Vol.29 No.2 2008年4月 2侧)8 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE APr.， 文章编号:10以)一032(2加8}02习304刃5 Ag掺杂p型zno薄膜及其同质结的光电性质 孙利杰，钟 声，张伟英，王 筝，林碧霞;傅竹西’ (中国科学技术大学物理系，安徽合肥 230026) 摘要:采用磁控溅射技术在51基片上生长了Ag掺杂的zno薄膜，xRD测试表明所得薄膜结晶性质良好，未 出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺人使得中性施主 束缚激子发射(Dox)显著减弱，并且在3.315ev处观测到了与Ag有关的施主一受主对(DAP)发射，受主缺陷 的形成归因于掺人的Ag替位zn。计算得到受主能级离价带顶约110meV。霍尔效应测得电阻率约0.10· cm，迁移率约36cm2/v·。，空穴浓度约1.7xlo，8。m一3。在此基础上制备了zno:^『zno的同质结，二F测试 显示了明显的整流特性，且反向漏电流很小。所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型。 关 键 词:Ag掺杂氧化锌;低温PL谱;施主一受主对;同质结 中图分类号:0吟82.31 PACC:3250F;7855 文献标识码:A 衬底上制备出p型zno:AgF”〕。还有其他作者研 1 引 言 究了Ag的掺人对zno光学性质的影响”〔一”〕。 氧化锌(Zno)是n一矶族半导体材料，室温下 本文采用磁控溅射技术制备了Ag掺杂的Zno薄 禁带宽度3，37eV，激子束缚能60meV，是开发短 膜，并在此基础上制备出znO:A『zno同质结。 波长光电器件的优选材料。要制备出基于ZnO 室温下I-V测量表明，该同质结具有典型的整流 的发光二极管、激光器等器件，p型ZnO及其同质 特性。并对zno:Ag薄膜进行了霍尔效应和低温 pn结的制备是必须解决的关键间题。然而本征 PL谱测量，所有证据表明ZnO薄膜具有p型导电 zno，由于氧空位、锌填隙或者生长过程中引人的 类型。 H等原因呈现n型电导’，z]〔。要实现zno的转 2 实 验 型，理论上可以通过掺杂1，V族元素来实现，目 前已有多种元素掺杂制备p型zno的研究报道， 采用磁控溅射技术在高阻51(100)基片上外 如N、P、怒、u等，一〔9〕。但是制备高质量的p型 延zno:Ag薄膜。基片在生长前依次用四氯化 Zno还有困难:V族元素引人的能级较深，难以激 碳、甲苯、丙酮;乙醇超声清洗以去掉表面的有机 活为有效受主;U虽然引人能级最浅，但是由于 杂质。后用浓硫酸、双氧水、去离子水(18.25 其离子半径小易于形成U填隙从而补偿受 MO)的混合液去掉表面的无机杂质，再用氢氟酸 主’0]〔。本文用Ag掺杂来制备p型zno。Ag作 去除表面的氧化层，最后用氮气吹干并快速放入 为IB族元素，与IA族一样，可以通过Ag替位Zn 溅射真空室。溅射靶材是纯度为99.99%的金属 形成受主。Yan等通过理论计算得出在富氧条件 Zn靶，银掺杂通过在该金属锌靶上镶嵌细的银丝 下Ag易于替位zn，从而指出Ag的掺人可能会制 (纯度99.99%)来实现。采用优化的生长工艺: