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第 27 卷 第 2 期 半 导 体 学 报 V ol . 27 N o . 2
2006 年 2 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Feb . ,2006
化学气相传输法生长 ZnO 单晶
赵有文 董志远 魏学成 段满龙 李晋闽
( 中国科学院半导体研究所 , 北京 100083)
摘要 : 利用化学气相传输法生长了 Zn O 单晶. 通过控制源区和生长端的温度梯度 , 使用碳辅助增强质量传输效
应 ,在无籽晶自发成核的条件下 ,得到了晶粒尺寸达 5m m ×8m m 的 Zn O 晶体. 利用长有 GaN 层的蓝宝石晶片作
为籽晶,得到了直径 32 m m 、厚 4 m m 左右的 Zn O 单晶体. 用光致发光谱和 X 射线双晶衍射研究了 Zn O 晶体的性
质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.
关键词 : 氧化锌; 化学气相传输; 单晶生长
PACC : 6 110 C ; 8 160 ; 7 120
中图分类号 : TN 3042 + 1 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006)
( ) ( ) ( )
C s + O2 g →CO2 g
1 引言 气体的质量传输束流密度由对流和扩散两个过
程决定 , 其关系为[ 13 ] :
Z n O 单晶材料的禁带宽度为 32e V , 其激子束
uP i D i , Res
缚能为 60 m e V , 是一种适合制作高效率蓝色 、紫外 J i = - P i
R T R T
发光器件和探测器等光电器件的宽带隙半导体材 其中 u 为气体流动速度; P i 为气体组份分压; R
料[ 1～3 ] . 此外 , Z n O 单晶还有许多优 良的特性和应 为理想气体常数; T 为绝对温度; D i , Res 为残留气体
用前景 , 如具有很好的抗辐照性能, 是制造气敏器 中组份 i 的扩散系数 , 由下式给出[ 13 ] :
件 、表面声波器件 、透明大功率电子器件 、发光显示 1
3 1 1 2
和太阳能电池的窗口以及变阻器 、压电转换器等的 T +
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