ZnO薄膜p型掺杂研究进展_邢光建.pdfVIP

第46 卷第4 期 真 空 VACUUM Vol. 46, No. 4 2009 年7 月 Jul. 2009 ZnO 薄膜的p 型掺杂研究进展* 邢光建，李钰梅，江 伟，韩 彬，王 怡，武光明 （北京石油化工学院材料科学与工程系，北京 102617） 摘 要：ZnO 作为重要的第三代半导体材料在光电领域具有广泛的应用前景因而引起越来越多的关注，ZnO 薄膜的p 型掺杂是实现ZnO 基光电器件的关键，也是ZnO 材料的主要研究课题。本文论述了ZnO 薄膜p 型 转变的难点及其解决方法，概述了ZnO 薄膜p 型掺杂的研究现状，提出了有待进一步研究的问题。 关键词：ZnO 薄膜；p- 型掺杂；共掺 中图分类号：TN30 ；O475 文献标识码：A 文章编号 1002-0322 （2009）04-0041-08 ： Recent progress in RD of p-type doping of ZnO thin films XING Guang-jian, LI Yu-mei, JIANG Wei, HAN Bing, WANG Yi, WU Guang-ming (Department of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Petrochemical Technology, Beijing 102617, China) Abstract: As an important third -generation semiconductor, ZnO has attracted much attention for its broad prospect in application, of which the p -type doping is crucial to the RD of ZnO -based optoelectronic devices and the ZnO material itself. Discusses the problem why p-type is difficult to dope in ZnO and the solution to it, with the current RD situation of p-ZnO thin films summarized. Some problems to be further solved are set out. Key words: ZnO thin film; p-type doping; co-doping ZnO 为II- VI 族化合物半导体材料，具有压 年科研人员制备出了p- ZnO 薄膜，但大都存在着 电、热电、气敏、光电等多种性能，在许多领域都有 一些问题，高载流子浓度、低电阻、电学性能稳定 广泛的应用。近年来ZnO 在光电领域的应用引起 的p- ZnO 薄膜的制备问题依然困扰着ZnO 材料 了人们的很大关注，这是由于ZnO 在室温下禁带 的发展。如何通过理论和实验找到合适的受主杂 宽度为3.37 eV，可以用来制备蓝光或紫外发光二 质实现高质量的p 型掺杂将对ZnO 的实际应用 极管（LEDs）和激光器（LDs）等光电器件。尤其是 起到极大的推动作用。 ZnO 具有较高的激子束缚能（60 meV），大于GaN