非晶硅太阳电池的现状和研发动向.pdfVIP

专 题 SpecialSubject 专题文章之七 非晶硅太阳电池的现状和研发动向 富士电机系统株式会社 井正博 酒井利明 雷云 0 引言 AperturesformedonFilm）的新型太阳电池结构，在单元结 京都议定书已于2005年2月开始生效，面向削减CO 的 构内形成串联连接构造，如图1所示。 2 运动已经展开。太阳能发电系统作为发电时完全不排放CO2 串联孔 电流收集孔 的发电装置，其普及被寄予极大的期待。日本政府为实现由综 合资源能源调查会所设定的2010年度新能源安装预测目标， 透明电极 制定了一系列策略，如： A-Si层 （1）发电领域：扩大在公共领域的安装；促进低成本化、 金属电极 激光分割部 薄膜底板 高效率化的技术研发等。 背面电极 （2）热利用领域：制订地方政府新能源利用综合计划；推 图1 SCAF方式串联连接结构 进生物能源综合利用战略；促进用于运输的生物质能源燃料 SCAF结构薄膜底板电池由被称作单元的太阳电池构成， 的采用等。 为使组件的输出电压达到实用的电压等级，需将这些单元进行 特别是，太阳能发电以2010年安装482万kW为目标， 串联连接；通过在薄膜底板上开设串联孔实现了临近单元电池 通过各种辅助事业、优惠措施促进其普及和推广。而且，NEDO 的金属电极间的串连联接。SCAF结构为避免由于透明电极的 技术开发机构在2004年从长期观点出发制订了技术开发战 高阻抗所造成的单元结构的电压损失，采用了由复数的集电孔 略—— 所形成的结构，在使电流向阻抗小的金属电极汇流的同时，通 —“面向2030年的太阳能发电行动计划（PV2030）”。 此计划设定到2030年为止家庭用电的1/2左右由太阳能发 过开设在电池端部的串连孔进行临近单元金属电极的串联连 电提供，并为此就太阳能发电的经济性改善、扩大适用性的技 接。此结构通过改变模样（Pattern）可改变串联连接的单元个 术革新及系统利用的方向性进行了研讨。 数，使根据用途从一枚太阳能电池提取所需电压成为可能。 另外，就太阳电池的生产量来看，1997年以后，生产量呈 1.2 制造工艺技术 大幅度增长趋势，由2000年的288MW增加到2004年的 SCAF结构太阳电池的制造工艺以卷进-卷出方式为基 1195MW，其中日本为602MW，约占世界总产量的50%。 础，其工艺包括：（1）通过底板前处理装置在成卷的薄膜底板 2004年所生产的太阳电池中结晶型Si太阳电池占90%以 上进行冲压机械打孔；（2）用电极形成装置在薄膜上用沾镀 上，薄膜型Si为8%左右。由于Si原料的短缺成为问题，非结 法形成金属电极；（3）用步进滚动（Stepping-roll）方式的制 晶Si、CIS型太阳电池的比例有所扩大。 膜装置制作a-Si层（等离子CVD）、透明电极层（沾镀法）、 1 薄膜底板非晶硅太阳电池的结构及生产工艺 背面电极层（沾镀法）。在一个真