C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究.pdfVIP

第33 卷 第1 期 核 技 术 Vol. 33, No.1 2010 年1 月 NUCLEAR TECHNIQUES January 2010 C 注入 GaN 光致发光和微区拉曼散射的研究 张利民 张小东 刘正民 （兰州大学核科学与技术学院 兰州 730000 ） 摘要 使用光致发光谱和微区拉曼散射谱的测量，研究了C 离子注入原生无黄光发射的GaN 。C 离子的注入 13 17 –2 剂量范围为10 –10 cm 。发光谱的研究表明，C 注入的GaN 经950℃高温退火后出现了黄光发射，而近带 边发射峰的峰位则由于C 注入产生的某种缺陷而发生了蓝移。拉曼谱的测量表明，GaN 薄膜的应力不随C 注 入而改变。当注入剂量增加至1015 cm–2 时，出现了与无序激活拉曼散射相关的300 cm–1 峰，但随着注入剂量 进一步增加，300 cm–1 峰减弱并未消失，这被归因于注入束流强度随注入剂量增大。 关键词 GaN ，离子注入，光致发光谱，微区拉曼散射谱 中图分类号 O427+ .3 16 –3 2 –1 1 GaN 是一种重要的宽带隙的半导体材料。上世 7×10 cm ，电子迁移率为370 cm ·V ·s 。室温下 纪90 年代以来，随着制作工艺中缓冲层技术的采用 C 离子注入，为减小沟道效应，注入时GaN 样品偏 和p 型掺杂技术的突破，GaN 已广泛用于制作蓝、 离注入离子束垂直方向7° 。C 离子能量50 keV，注 绿光发光器件，以及紫外光探测器和高温大功率器 量分别为1×1013、1×1014、1×1015、1×1016 和1×1017 件[1,2] 。C 是GaN 的常见杂质，也是GaN 掺杂改性 cm–2(下文分别以A 、B 、C、D 、E 表示) ，相对应的 时经常使用的掺杂元素，对GaN 的电子学性能和光 注入束流强度分别为0.03、0.4、4 、10 和12 µA。 学性能都有重要影响。例如，在电子学性能方面， 注入后，在GaN 样品表面覆盖一片未注入的GaN， C 可作为p 型杂质掺入GaN，以实现GaN 材料的p 在石英炉中退火，退火温度 950 ℃，退火时间 30 型化，但由于自补偿效应的出现， C 掺杂GaN 的 min ，期间由N2 (流量1 L/min)保护。室温光致发光 p 型化效果并不理想[3] 。而在荧光发射方面，C 可能 (PL)谱测量用日本岛津公司生产的RF-5301 光致发 与GaN 的黄、蓝、红光发射及近带边发射等多个发 光设备，激发光波长为325 nm 。室温微区拉曼散射 光带有关[4-8] 。因此GaN 掺C 研究对GaN 材料的认 光谱的测量用法国 Horiba Jobin-Yvon 公司生产的 识和应用均有重要意义。 HR 800 UV 拉曼光谱仪，激发光波长为532 nm。激 离子注入是半导体进行掺杂改性的重要手段。 光束沿GaN 外延层的c 轴传播，采用Z (−,−)Z 几何 它不受被掺杂材料溶解性和化学性质的限制，原则 配置进行测量，激光聚焦后在样品表面的束斑直径 –1 上可注入任意离子，并可精确控制注入离子浓度和 约为1 µm。拉曼谱的系统分辨率≤1 cm 。 分布范围，但缺点是会导致材料的辐射损伤，影响 性能。本文使用光致发光谱和微区拉曼散射谱，研 2 结果与讨论 究了不同注量的C 注入后，GaN 的荧光发射、薄膜 2.1 光致发光谱 应力及损伤缺陷积聚的变化，