a-Si∶H TFT的寄生效应.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 24 4 .24~ .4 Vol No 年 月 2003 4 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Apr. ~ 2003 - = 的寄生效应 a Si H TFT 宋 跃1~2 邹雪城2 (1 湘潭师范学院物理与信息工程系 湘潭~ 411201) (2 华中科技大学电子科学与技术系 武汉~ 430074) 摘要: - = 的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 实验研究表明它并不能完全表征~ 的寄生效应 研~ a Si H TFT TFT 究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 从. LCD 的结构 材, 料,制备工艺等普遍性出发 依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 实验结果~ ~ 表明该方法是有效可行的 从而使~ LCD 寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法. 关键词 寄生效应 电力线 物理寄生电容 补偿电容: ; ; ; PACC: 7340; 6855 EEACC: 2520F 中图分类号: TN304 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2003)04-0391-05 量 它主要由~ TN 液晶盒的电光特性和TFT 的电特 l 引言 性决定 对~ TN 液晶盒 其液晶材料的透光率决定于~ 所加电压的均方根值 我们知道 有源矩阵液晶显示. ~ - = 作为有源矩阵液晶显示屏中的 a Si H TFT 开关元件 因能使液晶屏显示质量达到与~ CRT 相 媲美而倍受人们的青睐[1] ~作为手提电脑显示屏和 高档显示器的竟争者 它已在平板显示中独占鳌~ [2] 头 然而. - = 的寄生效应造成的图像闪 a Si H TFT 烁 严重地影响了显示器的显示质量 目前普遍认为~ . 的寄生效应主要是由栅源几何交迭引起的 为 图1 - 有源矩阵像素单元截面图 LCD ~ a Si TFT 提高显示质量人们依此和经验加补偿电容 对寄生. Fig.1 Pixel unit section picture of a Si TFT active- 效应进行较系统全面的分析研究一直未见报道 在. matrix 实验中我们发现 当采用自对准工艺时寄生效应依: 器中采用的是一种准静态显示模式 在一帧时间内~ 然存在 同时发现由栅源极形成的电场的电力线交~ 液晶电