GeSi纳米多层膜的埋层调制结晶研究.pdfVIP

助 能 材 料 Ge／Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究。 茺2，杨 宇2 杨瑞东1一，陈寒娴2，邓荣斌2，孔令德2，陶东平1，王 3．红河学院物理系，云南蒙自661100) 摘 要： 采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃ 厚度与非晶，微晶相变之间存在密切的关系[1朝。这些研 究都从不同方面表明在Ge／Si多层膜中，子层的沉积厚 时，在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样 品。使用Raman，AFM和低角X射线技术对样品进度影响着晶粒的尺寸及空间分布。本文采用磁控溅射 行检测和研究，结果表明通过控制Ge埋层的厚度，可 技术，从改变Ge子层溅射厚度的设想出发，在基片温度 以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸，获得晶粒平均尺寸 和空间分布较均匀的多晶Ge／Si多层膜。 AFM和低角X射线技术对样品进行研究，结果表明通 关键词： Ge／Si纳米多层膜；埋层；纳米晶粒