LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究.pdfVIP

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2015-09-05 发布于重庆
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LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究.pdf

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29 6 Vo l 29 No 6 2007 12 PI EZO E L ECT E CT RI CS ACO U ST OO PT ICS Dec 2007 :( 2007) 06074 30 3 LSMCD BST 白天, 张之圣, 王秀宇, 毕振兴 ( , 300072) : ( L SM CD) ( BST ) , X( X RD) ( SE M ) : 8 , , Pt/ T i/ SiO / Si 2 80 nm 850 nm BST BST 526, 0 06 , 100 kV / cm , 10 C/ cm2 , 20 C/ cm2 , : ; ; ; : T N304 : A Study on Production Technology of Gradient BST Thi n Films by LSMCD Technique BAI Tian ZHANG Zhisheng WANG Xiuyu BI Zhenxing ( D ept of Elect ronic Science and T echn ology , School of El ect ronics In format ion E ngineering , T ian jin U niv ersit y , T ianjin 300072, China) Abstract: In this pap er, the prep aration of ( Ba1x Sr x ) T iO3 thin f ilm s by liquid sour ce chem ical deposition ( L SM CD) w as pr esented T he propor tio n o f chem ical elem ent s and the concent ratio n of dop ant co uld be co ntr olled ex actly by this m ethod T he thickness of thin f ilm s and the diam eter o f crystal par ticle w ere contro lled by the dura tion and tim es o f super sonic m isted deposit ion Xr ay diffr action ( X RD) and scanning electro n m icro sco py( SE M ) show ed that BST thin f ilm s w it h p ero vskite phase w ere prep ared o n Pt/ T i/ SiO2 / Si sub str at es by conventional fur nace annealing ( RCA ) aft er depositing 8 tim es, w hose diam eter of cr ystal p art icle and thickness w er e abo ut 80 nm and 850 nm , r esp ect ively T he electric hy steresis lo op show ed th at the coer cive