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LTPS
LTPS
Low Temperature Poly-silicon LTPSLTPS
Amorphous-Silicona-Si
Polysilicon () 0.1 um
LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor
Deposition) 900C SPC (Solid Phase
Crystallization)
650 LTPS
a-Si0.5 cm2/V ‧SLTPS
50200 cm2/V ‧Sa-Si
TFT-LCDTFT-LCD(aperture
ratio)
SOGLTPS
AM-OLEDLTPS
a-SiLTPS
600 LTPSa-Si
“”laser anneala-SiLTPSa-Si
100 LTPS PANEL a-Si PANEL
LTPS PANEL a-Si PANELLTPSa-Si
1 IC
2
3
4
5
a-Si TFT LTPS TFT
a-Si TFT LTPS TFT
2 2
TFT 0.3~0.7 cm /V ‧S 100 cm /V ‧S
TFT 1 1/2
180G 300G
1,000 10,000
4,000 200
PCB 2 1
TAB-IC Scan3 Data 10
270 195
p-Si a-SiLTPS TFTLTPSa-Si
a-SiLTPS
2/V ‧SIC
a-Si TFT 1 cm
a-Si TFTICp-Si
100 cm2/V ‧SICICPCB
p-Si TFT a-Si
p-Si TFT IC
LTPS
1Metal Induced Crystallization (MIC) SPC SPC
500~600
2Cat-CVD: (poly-film)
300 SiH -H catalytic cracking reaction
4 2
3Laser anneal: Excimer
a-Sipoly-film
siyuren
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