基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计.pdfVIP

第28卷第12期 半导体学报 V01．28No．12 oF 2007年12月 CHINESEJOURNALSEMICoNDUCTORS Dec．，2007 基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计 林 弥1’2’t 吕伟锋1 孙玲玲1’2 (1杭州电子科技大学电子信息学院，杭州310018) (2浙江大学信息与电子工程学系，杭州310027) 摘要：共振隧穿(resonant differentialresistance，NDR)特性使 tunnel，RT)器件本身所具有的微分负阻(negative 其成为天然的多值器件．文中利用RT器件的负阻特性，以开关序列原理为指导，设计了基于RT电路的开关模型， 实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路，并利用MOS网络模型，通过SPICE软件仿真验证了所设计电路 的正确性．该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中． 关键词：RT器件，多值逻辑；开关序列；与非门，或非门 EEACC：1265Z 中图分类号：TN312．2文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)12．1983—05 示[12．13]． 由图1可以看出RTD具有两个正的斜率区和 1 引言 一个负的斜率区．当RTD工作在正斜率区(称为导 通状态，表现出一般pn结特性，导通电阻很小)时， 目前计算机科学中主要使用的是二值数字电 具有稳定的工作点．在这里把RTD从第一正阻抗 路，以布尔代数为基础，以基本门电路作为构造单元 区(原点到V，)进入到负阻区(V，到Vv)这个过程 进行设计[1~3]．而使用多值逻辑可以使每根连线携称为翻转，翻转后的RTD管具有较大的负阻抗 带的信息量增加，从而减少数字系统的连线，降低电 值‘1引． 路复杂度，减小芯片面积，且多值逻辑的结构比二值 相对于二端RTD来说，将RTD与一些成熟的 更加丰富．因此三、四值以及更高值的逻辑已经在计 算机科学中得到应用，并将进一步扩大应用范围． 一起获得三端RT器件来设计电路会更为灵活[9]． 多值逻辑的研究目标是为了设计和应用多值逻 辑电路．多值逻辑电路在结构简单性、工作可靠性、 曲线，从图中可以看出RTD／HEMT的厶y特性曲 速度、功耗等方面均可以与成熟的二值电路相比甚 线与RTD相似，其峰值电流随着输入电压yG的增 至更优．迄今为止，具有各种逻辑功能的多值门电路 大而增大，且峰值电流小的管子先从第一正阻抗区 tunne．进入负阻区，发生翻转，因此它是一种压控器件，可 已经被提出．如今共振隧穿二极管(resonant 以通过控制输入电压yo的大小来控制管子的工作 diode，RTD)等量子器件的制造工艺技术已经 1ing 开始成熟，其固有的超高速、超高频、超高集成度、高 状态．RTD／HEMT为现今较为热门的研究方向，其 效、低功耗等特点，在未来VLSI方面有着极其重要 的应用前景[‘~9]．本文将探讨利用共振隧穿器件实 现三值“与非门”、“或非门”单元电路，为用RT器件 实现三值逻辑电路提供一种新的思路． 幔 2共振隧穿器件