电子束蒸发太阳能电池窗口层ZnO薄膜.pdfVIP

第 11卷 　第 2 期 集美大学学报 (自然科学版 ) Vol. 11　No. 2 　 ( ) 　　2006年 6月 Jou rnal of J im ei U n iversity N atu ral Science Jun. 2006 [文章编号 ] 1007 - 7405 (2006) 02 - 0185 - 03 电子束蒸发太阳能电池窗口层 ZnO 薄膜 阮文农 , 黄碧华 , 黄赐昌 (福州大学电子科学与应用物理系 , 福建 福州 350002) [摘要 ] 用电子束蒸发法在玻璃基片上制备太阳能电池窗口层 ZnO 薄膜 , 并在氧气环境下对其在 400 ～ 500 ℃的温度下退火 1 h. 通过 X射线衍射 、电镜扫描 、透过率光谱等手段测试和分析所制备的薄膜 , 结果 表明: 当薄膜未经过热处理时 , 薄膜中含有大量的单质锌 ; 当薄膜经过 400 ℃退火后 , 薄膜逐渐结晶 , 并 且其物相成分基本是 ZnO; 当退火温度逐渐升高到 500 ℃时 , 晶粒长大 , 晶化程度提高 , 对可见光和近红 外光的透过率也增大 , 平均值可达 90 % , 此时所制备出的 ZnO 薄膜适合于作为太阳能电池的窗口层. [关键词 ] ZnO 薄膜 ; 电子束蒸发 ; 退火 [中图分类号 ] TN 30592 [文献标识码 ] A 0　引言 优质的 ZnO薄膜具有 c轴择优取向生长 , 室温下其禁带宽度约为 33 eV , 是典型的直接带隙宽带半导体. 其薄膜在可见光波段透射率可达 90 % , 电阻率可降至 10- 7 Ω ·m , 是一种理想的透明导电薄膜. ZnO 薄膜在 透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示材料、高频压电转换器、表面声波元 件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途[ 1～3 ] . ZnO薄膜的制备方法主要有射频溅射法、双离 ( ) ( ) 子束溅射沉积法、化学气相沉积法 MOCVD 、电子束蒸发沉积法、喷雾热分解法、分子束外延 MBE 等[4～8 ] . 其中电子束蒸发法具有成本低廉、成膜较快、便于大面积制备等优点, 受到人们的青睐. 笔者采用电 子束蒸发法制备太阳能电池窗口层 ZnO薄膜 , 并研究了退火对 ZnO薄膜的结构和光学性能的影响. 1　实验 ZnO 薄膜在北京真空仪器厂生产的 DMD E450 型电子束光学多层真空镀膜机上制备. 将分析纯的 ZnO 粉末压制成靶 , 在真空度为 2 ×10 - 3 Pa、束流为 008～010 A 、靶与基片距离为 20 cm 、蒸发时 间为 5 ～8 m in 的条件下在玻璃衬底上沉积 ZnO 薄膜. 将所制备的 ZnO 薄膜样品在退火炉中进行 400 ～ 500 ℃的退火处理 , 退火温度由 AL 708P 程序型智能调节器控制. 然后利用 X PertM PD 型的 X射线衍射仪分析薄膜的物相结构 , Ph ilip s XL30E 型的扫描电镜观察其表面形貌 , 利用型号为 CARY 500 Scan UV V ISN IR 的分光光度计测量其在可见光到近红外光波段的透射光谱. 2　结果与讨论 2 1　ZnO 薄膜的 XRD 谱