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LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究.pdf
V01．19 高等学校化学学报 NO．3
1 99 8年3月 CHEMICAI，JOURNAl，OFCHINESEUNIVERSITIES429～432
孟庆波武志坚张思远’
(中国科学院长春应用化学研究所稀土无机材料实验室，稀土化学和物理开放实验室+，长春，130022)
2．30eV，LaP2．05eV，LaAs1．66eV，LaSb1．34
隙分别为LaN eV，与实验结果基本相符．利
用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计
算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合，说明了该关系式的合理性．
关键词能带结构，化学键性质，氮化镧系列晶体
分类号0641
eV[1]、2．6～2．9
引起人们的广泛注意．研究表明，LaN是一个半导体，其能隙为0．82 eV[21；
eV[33或小于3．0eV【4]；对于LaSb，所观测的能隙差别稍大一些，
对于LaP，其能隙为1．46
有入认为它是半导体，能隙为0．7～o。8eVn]，还有人则认为它是半金属，即导带和价带有一
个很小的重叠[5~7]．观测到的平均能隙为6．0eVIs]．在理论工作方面，简单的经验分析表明，
L】…。
eV
LaN是半导体，其能隙1。70eV[9]；格林函数方法给出LaP也是半导体，能隙为0．3
化合物晶体的最基本的性质，如究竟是半金属，还是半导体，一直存在争议，所以仍需进一
步研究．另一方面，晶体的化学键性质也是人们非常感性趣的问题，目前关于晶体化学键性
广泛地应用于固体材料的物理化学性质研究u7一引．
离子上所占据价电子数之比，定义了一个计算晶体化学键性质的关系式，利用该式计算的化
学键的共价性与文献u列基本吻合．
1计算方法和参数
1
0．530
LaX．晶体属立方晶系，氯化钠型结构，空间群为F432．晶格常数分别为LaN
3 0．6125 0．6475
nm、LaP0．601rim、LaAs nm、LaSb
4 6 0．1518 0．1489
0．141nm，N0。123nm)、LaP(Lanm、P
fin—Tin半径分别为LaN(La
0．165
nm)、LaAs(La0．1536nm，As0．1527nm)、LaSb(La0．1586 nm、Sb 1nm)[21|．在
收稿日期：1996’12—06·联系人：张思远·第一作者：孟庆波，男，32岁，博士，助理研究员
*中国科学院择优支持留学回国人员工作基金资助课题．
万方数据万方数据
430 高等学校化学学报 V01．19
2|．
qvist[2
2结果与讨论
2．1能带结构
计算得到的LaX(X=N，P，As，Sb)晶体能带结构态密度图见图1．
80
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