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2009年2月 廊坊师范学院学报(自然科学版) Feb.2009 No.1 第9卷第1期 Journalof Teachers ScienceEdition) V01.9 Langfang College(Naturnal 变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量 崔立宣1唐永光2 (1.河北省抚宁县第三中学,河北抚宁066303;2.廊坊师范学院,河北廊坊065000) 【摘要】 利用简单的加热装置改装HL_一Iv型霍尔效应实验仪,利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半 导体霍尔系数及其载流子浓度。 【关键词】 变温;霍尔系数;载流子浓度;测量 theSemiconductorHallCoefficientandCarrier Apparatus ConcentrationattheConditionsofDifferent Temoeratures TANG CUI Li-xuan Yong-guang a devicemodifiesHL-IV-based 【Abstract】Usingsimpleheating Hall-effect themodified experimentequipment.Using thesemiconductorHallcoefficientandcarrierconcentrationattheconditionsofdifferent equipmentapparatus tempera- tures. words】theof coefficient;carrierconcentration;measurement 【Key changingtemperature;Hall 【中图分类号]0472 [文献标识码]A [文章编号]1674—3229(2009)01—0050—02 霍尔效应是研究半导体材料电学性能的重要方 及尽量减少所增加附件对实验测量所带来的副效应 法。根据霍尔效应可以确定半导体的导电类型及载 等因素,选用电吹风为主要加热装置。改进后的仪 流子的浓度¨J,并可进一步测量霍尔系数随着温度的 器装置如图1所示。 变化,确定半导体的禁带宽度、杂质电离等性能参数。 在一般实验教学中,霍尔系数和载流子的浓度 的测量,可以在室温或低温条件下进行。其中低温 条件下霍尔系数和载流子的浓度的测量需要液氮控 制和维持样品环境,作为学生分组实验,成本显得高 一些。如果免去低温测量环节,学生将观察不到霍 尔系数、载流子浓度随着温度的变化情况,达不到实 验预期的目的。 本文介绍利用一些简单的仪器设备,在变温条 图1 改进后实验仪器整体示意图 件下测量半导体霍尔系数和载流子浓度的方法。 图1中加标注的器件为对仪器改进时所增加的 1实验仪器的改进 附件。其中电吹风工作时打出的热气流直接从HL —IV型实验仪的

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