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半导体霍尔系数及载流子浓度的测量,半导体霍尔效应载流子,霍尔效应载流子浓度,半导体载流子浓度,本征半导体载流子浓度,双载流子霍尔效应,霍?10e0??效应载流子正负,半导体载流子,半导体中的载流子,载流子浓度
2009年2月 廊坊师范学院学报(自然科学版) Feb.2009
No.1
第9卷第1期 Journalof Teachers ScienceEdition) V01.9
Langfang College(Naturnal
变温条件下半导体霍尔系数及载流子浓度的测量
崔立宣1唐永光2
(1.河北省抚宁县第三中学,河北抚宁066303;2.廊坊师范学院,河北廊坊065000)
【摘要】 利用简单的加热装置改装HL_一Iv型霍尔效应实验仪,利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半
导体霍尔系数及其载流子浓度。
【关键词】 变温;霍尔系数;载流子浓度;测量
theSemiconductorHallCoefficientandCarrier
Apparatus
ConcentrationattheConditionsofDifferent
Temoeratures
TANG CUI
Li-xuan
Yong-guang
a devicemodifiesHL-IV-based
【Abstract】Usingsimpleheating Hall-effect themodified
experimentequipment.Using
thesemiconductorHallcoefficientandcarrierconcentrationattheconditionsofdifferent
equipmentapparatus tempera-
tures.
words】theof coefficient;carrierconcentration;measurement
【Key changingtemperature;Hall
【中图分类号]0472 [文献标识码]A [文章编号]1674—3229(2009)01—0050—02
霍尔效应是研究半导体材料电学性能的重要方 及尽量减少所增加附件对实验测量所带来的副效应
法。根据霍尔效应可以确定半导体的导电类型及载 等因素,选用电吹风为主要加热装置。改进后的仪
流子的浓度¨J,并可进一步测量霍尔系数随着温度的 器装置如图1所示。
变化,确定半导体的禁带宽度、杂质电离等性能参数。
在一般实验教学中,霍尔系数和载流子的浓度
的测量,可以在室温或低温条件下进行。其中低温
条件下霍尔系数和载流子的浓度的测量需要液氮控
制和维持样品环境,作为学生分组实验,成本显得高
一些。如果免去低温测量环节,学生将观察不到霍
尔系数、载流子浓度随着温度的变化情况,达不到实
验预期的目的。
本文介绍利用一些简单的仪器设备,在变温条 图1 改进后实验仪器整体示意图
件下测量半导体霍尔系数和载流子浓度的方法。 图1中加标注的器件为对仪器改进时所增加的
1实验仪器的改进 附件。其中电吹风工作时打出的热气流直接从HL
—IV型实验仪的
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