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第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 vol l 34，SupPl 2005年 6月 RAREMEl、ALMATERIALSANDENGINEERINGJune2005 快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响 万之坚1，李海峰2，黄勇1，一，张厚兴啦，张立明1，许颖3，王文静3 (1清华大学材料科学与工程系，北京100084) (2．清华大学深圳研究生院，深圳518057) (3．北京市太阳能研究所，北京100083) 摘要：选用AtzO，陶瓷作为衬底．采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜。实验研究了温度对薄膜生长的影响，结果表明， 硅层的沉积速率随着温度升高而加快，并逐渐趋向1个稳定值。晶粒尺寸也随着温度升高而增大，在温度达到1000℃ 后保持不变。在此硅薄膜上，采用磷扩散掺杂，制各出太阳能电池器件，并且分析了掺杂量对电池效果的影响。 关键词：太阳电池；多品硅薄膜；快速热化学气相沉积 中图法分类号：TG174l 文献标识码：A 文章编号：1002—185x(2005)s1—1149—03 路管混合后进入石英管反应室内。 1 引 言 在合适的温度(1100℃左右)下，通入反应气体， 自20世纪70年代以来，光伏界一直在研究开发发生的化学反应为： 多晶硅薄膜电池。多晶硅薄膜电池既具有晶体硅电池 SiH 2CI2—盟堕量_÷Sj+2HCI … 高效、稳定、无毒和资源丰富的优势，又具有薄膜电 池工艺简单、节省材料、大幅度降低成本的优点，因 薄膜的沉积速度和掺杂浓度可以通过调节H2、 此多晶硅薄膜电池的研究成为近几年的热点…。 sicl2H2和B2H6的流量来控制。 陶瓷衬底上的多晶硅薄膜电池是一种以降低成 3结果及分析 本为目标的新型太阳电池，具有很好的应用前景J。 薄膜的制各是薄膜电池制备中的重要步骤之一，薄膜 3 1 温度对沉积薄膜的影响 的质量直接影响到电弛的性能。为了掌握薄膜生长的 从图1中可以看出：在成膜的初期，相同时间沉 规律，进而得到优良的多晶硅薄膜，本研究运用快速 积的薄膜厚度差别不大，随着时间的增加，薄膜厚度 的增加，发现相同时间下高温沉积的薄膜厚度大于 热化学气相沉积(RTcvDl制备多晶硅薄膜的方法，研 究了不同沉积条件对多晶硅薄膜特性的影响，获得了 900℃低温沉积的，且随着薄膜厚度的增加，高温looO℃ RTcvD制各多晶硅薄膜工艺的认识。 和1150℃沉积的薄膜厚度相近，可以估计在高温F薄 膜的沉积率相差很小。 2实验方法 图2针对性地观测了几个不同温度下沉积的薄膜 使用北京市太阳能研究所光电技术部的 厚度。实验表明，常压下硅源淀积速度与温度存在着 RTcvD设备，系统采用高频线圈加热的方法，中问是如图的关系，它显示出沉积存在着2个性质不同的区 l根石英反应管，反应管内装有加热用的石墨基底， 域。在低温区沉积速度与沉积温度之间是指数关系 基底上装载着外延片，整个石墨基底连同外延片都放 G虻g“州打