CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析.pdfVIP

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2015-09-07 发布于安徽
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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析.pdf

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!竺!兰竺查竺苎兰苎璺竺竺竺望竺竺一 CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析① 薛玉明孙云何青李凤岩朴英美刘维一周志强李长健南开大学光电子所，天津，300071 据这三种半导体的相关材料参数和实验数据，画出了它们形成异质结前后的能带图，并计算得它们的能带边失调值△E，AE。。其中，CdS／CIGS的导带边失调值△丘对高效率cIGS薄膜太阳电池的影响作用最大，为一0．298eV(高效电池的理想值范围为0～0．4eV)，这对电池整体性能都不是很好。关键词：异质结能带边失调值c1紫Q紧哿 ofthe thin characteristicofthe CIGS filmsolarcells Abstract：Theiunction heterojunetion the is influences ofthesolar toresearch cells．Therefore，it the directly properties uecessery oftheCIGSthinfilmsolarcells the heterojunction systematically．Byexperiments，wefirstly the to fabricated 7 andZnOthin theirmaterial CuInoGao3 Se2，CdS films．According the and attain band beforeandafter data，we parametersexperimental energyfigures forming the calculatetheir band conductionband heterojunction，andenergy offsetAE。、△E。．The offset the isthe factorinfluence ofthe AE。of CdS／CIGS，whichkey to the solar properties ideal ofthe ceilsare cells，is～0．298eV(thedata solar 0～O．4eV．)．Thatdoes highefficency harmtothe ofthesolarcells， properties CdS bandoffsetCIGS ZnO Keywords：