Cu%2fβ-Zn4Sb3纳米复合热电材料的制备与电输运特性.pdfVIP

!!里 丝 丝 塑 丝 !!!!生望型!塑!鲞 Cu／D—zn4Sb3纳米复合热电材料的制备和电输运特性+ 赵文俞，王要娟，吴晓艳，翟鹏程，唐新峰，张清杰 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉430070) 摘要： 采用真空熔融结合放电等离子体烧结(sPs) 半导体化合物，掺杂引起的微结构和能带结构变化很难 制备了一系列纳米cu第=相的D—zn。sb3基复舍材料， Ⅺm和sEM分析表明，该复合材料均是由cu和大幅度改变载流子的输运特性，其综台热电性能受掺杂 影响不明显与zIl。sb，本身就是重掺杂半导体化台物有 D．zn4sb3组成的，sPs烧结过程中p．zn4sb3并没有发生 相变反应，cu纳米粒子主要沿8．zIl4sb，微拉周围随机关。近年，越来越多的研究发现纳米结构可显著提高热 电材料的zr值【9“”。如晶界和晶体内均匀分散的纳米 分布，亦见少数cu纳米粒子进八B—zn4sb3微粒内现象。 电输运特性测量表明，随着纳米cu含量增加，复合材 第二相对声予的散射作用和对低能电子的能量过滤作 料的电导率逐渐增加，seebeck系数先降低后增加；当 纳米cu掺量增大至摩尔比为008时，材料的电导率与力诱导纳米结构的量子效应和尺寸效应可导致 纳米cu掺量为004时非常接近，但seebeck系数明显ce02母l 偏高，700K时的功率因子达到“．6mw·cm^K一，是纳 但迄今为止，尚无纳米第二相或结构纳米化对z114sb3 米cu掺量为O．04时的I．23倍。这种电导率与seebeck材料电、热输运特性影响的报道。 系数的反常变化现象可能与纳米cu时低能电子的能量 本文采用真空熔融结合放电等离子体烧结(sPs) 过滤有关。 关键词： 热电材料；pz“4sb3；纳米复合；电输运特性 中图分类号： TN37 文献标识码：A 测试仪表征了这种纳米复合材料的相组成、纳米cu分 文章编号：100l一973l(2007)增刊一1352一04布特征和电输运特性。 l 引 言 2实验 热电材料的热电转换效率取决于无量纲热电优值 以高纯zn粉(99．999％)和sb粉(9999％)为起 z丁=f阳住，r是绝对温度，a是seebeck系数，口是电初原料，按zn一定过量的化学计量比称量zn粉和sb 导率，K是热导率(等于晶格热导率札与载流子热导率 粉，均匀混台后，在真空度0 №之和)，№=岛而．厶l为Lorenz常数吐降低x、增 大a和口是提高热电优值的3种途径，但x、a和a一 般是强关联的，x减小必伴随a降低，n增大时a一般 会相应降低，a增大时因Ⅳo升高z必增大。如何调控x、 成颗粒小于38岬的粉末，按纳米cu掺量摩尔比为O， d和Ⅱ以实现z丁值大幅度增大一真是热电材料学家尚 04和0 O．02，0 未有效解决的研究课题。 D．zn4sb3是一种p型半导体化合物．具有R3c晶体体烧结(sPs)条件下进行烧结，得到致密无裂纹的 对称，每个单胞中至少存在3个无序分布的问隙Z11原cl】，B．zmsb3纳米复合材料。 子”l。这种无序填隙结构决定了该化台物具有非常低的 试样的相组成和微结构采用x射线衍射(Ⅺ①) m～·K11，670K 热导率，室温下晶格热导率仅为O．65w 时其z丁达到1．3口】。目前，zn4sb3的热电性能优化研究 数是在zEM一1型热电性能测试仪上同时测量的，电导 大多是试图通过In峨cd‘”、Mg峨Pb【61取代zn和(或) Tc【73取代sb引起品格畸变并改变费米能级附近能带结