第六章半导体探测器 辐射测量原理课件.ppt

作业： 教材P158：3、4 6.4 高纯锗(HPGe)半导体探测器 由耗尽层厚度的公式： 降低杂质的浓度Ni可提高耗尽层的厚度。 高纯锗半导体探测器是由极高纯度的Ge单晶制成的 P-N结 半导体探测器。杂质浓度为~1010原子/cm3。 一般半导体材料杂质浓度为~1015原子/cm3。 6.4.1. 高纯锗探测器的工作原理 1) P-N结的构成(N+-P- P+) 采用高纯度的 P型Ge单晶，一端表面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成 N区 和 N+，并形成P-N结。另一端蒸金属形成 P+。两端引出电极。 因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。 6.5.3. 性能 其中： Si(Li)和Ge(Li)平面型探测器用于低能?(X)射线的探测，其能量分辨率常以55Fe的衰变产物55Mn的KX能量5.95KeV为标准，一般指标约： 1) 能量分辨率： 为载流子数的涨落。 为漏电流和噪声； 为载流子由于陷阱效应带来的涨落，通过适当提高偏置电压减小。 HPGe，Ge(Li)同轴型探测器用于?射线探测，常以60Co能量为1.332MeV的?射线为标准，一般指标约： 2) 探测效率 一般以?3英寸×3英寸的NaI(Tl)晶体为100％，用相对效率来表示。 以85cm3的HPGe为例，探测效率为19％。 3) 峰康比 P = 全能峰峰值/康普顿平台的峰值 与FWHM以及体积有关，可达600～800 4) 时间特性：电流脉冲宽度可达10-9~10-8s. * 第六章半导体探测器 Semiconductor Detector 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被PMT第一打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。 半导体探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) ?射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器； (2) 锂漂移型半导体探测器； (3) 高纯锗半导体探测器； 6.1 半导体的基本性质 6.1.1、本征半导体和杂质半导体 1) 本征半导体： 由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。 常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素. 理想、无杂质的半导体. 固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为： ni和pi为单位体积中的电子和空穴的数目，下标“i”表示本征(Intrinsic)材料。T为材料的绝对温度，EG为能级的禁带宽度。 2) 杂质半导体 杂质类型：间隙型，替位型。 (2) 替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等； (1) 间隙型：Li，可在晶格间运动。 3) 施主杂质(Donor impurities)与施主能级 施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级很接近禁带顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N 型半导体。 电子浓度： 施主杂质浓度 电离时能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质； 4)受主杂质(Acceptor impurities)与受主能级 受主杂质为III族元素，其电离电位EA很低，受主杂质的能级一定很接近禁带底部(即价带顶部)，室温下价带中电子容易跃迁到这些能级上，在价带中出现空穴。所以，此时多数载流子为空穴，杂质原子成为负电中心。掺有受主杂质的半导体称为P 型半导体。 空穴浓度： 受主杂质浓度 能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质； Doping with valence 5 atoms Doping with valence 3 atoms N-type semiconductor P-type semiconductor 6.2 P-N结半导体探测器 6.2.1、P-N结半导体探测器的工作原理 1) P-N结区(势垒区)的形成 　 (1) 多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率