模拟电路噪声分析方法的研究.pdfVIP

垫】QⅨQ：垫 ChinaNew andProducts Technologies 信息技术…一-‘… 模拟电路噪声分析方法的研究 苏映新 解庆昆 ’ (河北省河闻市广播电视局，河北河间筛24卯) 摘要：本文主要介绍半导体器件缺陷与噪声的关系。根据噪声电子学的知识和低频噪声检测半导体器件缺陷理论及其在实际中的应 用。从原理上分析器件缺陷所引发的电路故障与噪声特性参数关系。通过对输出噪声特性参数的分析和处理达到诊断电路故障。 关键词：噪声；噪声功率；功率谱密度；相关系数 1半导体器件缺陷与噪声的关系 其中h为普朗克常数，这时的噪声由量子效应 噪声与接触噪声形成的机理完全不同．所以二 1．1半导体元件中的噪声 所引起，称为量子噪声。显然量子噪声属于非白 者之间不存在相关性，因此一个电阻的噪声电 电噪声是电子线路中普遍存在的一种物理 噪声。并与温度无关。但在我们的实际应用中， 压谱密度为二者之和，即 现象，它起源于电子线路内部组件的内在固有 绝大多数情况下可以认为热噪声为白噪声。 (1-4) Se∞=4kTR+半 扰动。除了电阻的热噪声外，主要还有有源器件 132电阻的过剩噪声 I 儡体管、场效虚管及集成运放)内部的嵌弹噪 电阻中除了热噪声以外，还会产生一些附 故一个实际电阻的低频段以协噪声为主，高频 声、侑噪声及CSR噪声。下面简要介绍各类噪加噪声．因此电阻的实际噪声比热噪声要大，通 段以热噪卢为主。 声的特点。 常把这些噪声称为过剩噪声。在这些过剩噪声 晶体管内部具有远比电阻热噪声复杂多的 ”．1电阻中的热噪声 中．主要是低频噪声。它来源于电阻中导电微粒 噪声机理，目前已经发现晶体管内部噪声有热 奈奎斯特已证明热噪声的功率谱密度为 的不连续性，当电流通过不连续点时就会产生 噪声、嵌弹噪声、侑噪声、GR噪声等。 蹄)=4KTR 0-1) 火花，使电阻的电导发生变化，从而引起电流噪 1．13双极晶体管嵌弹噪声 其中K为玻尔兹曼常数((1．∞X10q，kk丁为声。典型的低频噪声具有1／f噪声谱形式，又称 双极品体管、半导体二极管均属于结型器 电阻的热力学温度O‘咄R为导体的电阻㈣。根 为闪烁噪声或接触噪声，功率谱密度可表示为 件，由于器件内载流子运动与PN结有关。因此 据式但一1)，热噪声的功率谱密度应为常数，但实 Se∞=芈(1-3)这类器件的主要噪声源就是由于载流子越过 际上．在非常高的频率下。噪声的功率谱密度开 PN结势垒引起的嵌弹噪声。载流子越过势垒进 始发生变化，表达式为 式中的ID为流过电阻的直流电流，当电阻中没 入基区的数量是一种随机过程，这就使得注入 蹄)=2hfR (1—2) 有了直流电流时就不会有过剩噪声。电阻的热 基区的电子数目在其平均值附近发生随机起 I 信号先进行相位B估计，然后通过计算得到每 表2天线数目、现察数据长度与识剐率【％) 示为p“¨，……r山1lH。)．调制方式的判断最 终取决于后验概率p-Ir，嘲，……r帅。 一路的联合概率密度p(r，¨，……rI埘I