利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结.pdfVIP

第53卷第8期2004年8月 物 理 学 报 ACTAPHYSICASINICA ⑥2004 1000．3290／2004／53(08)／2741．05 Chin．Phys．Soc． 利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结* 由 臣1’ 赵燕平1’ 金恩姬2’ 李飞飞3’ 王天兴3’ 曾中明3’ 彭子龙3’ ”(天津理工学院材料科学与工程系，天津300191) 2’(北京石油化工学院数理部，北京102617) ”(中国科学院物理研究所，磁学国家重点实验室，北京 100080) (2003年11月21日收到：2003年12月19日收到修改稿) 温隧穿磁电阻比值为17．2％的磁性隧道结Co／A120，／Co，其结电阻为76Q，结电阻和结面积的积矢为76×104Q扯m2， 自由层的偏转场为1114A／m，并且在外加磁场O—1114A·m。1之间时室温磁电阻比值从零跳跃增加到17．2％，磁场 灵敏度达到0．1％，(103 A·nl“)．钉扎型Co／A120，，Py的隧穿磁电阻实验曲线具有较好的方形度．结果表明，这种利用 金属掩模法制备的钉扎型磁性隧道结亦可用于制备磁随机存储器等原型演示器件或其他种类原型磁敏传感器件． 关键词：磁性隧道结，隧穿磁电阻，磁随机存储器，金属掩模 PACC：7340G，7570A，7210D，7340R 18％，尤为重要的是磁电阻效应极大值时的饱和场 1．引 言 较低(103A·nl。1量级)，这使得磁性隧道结在计算机 磁读出头、磁动态随机存储器(MRAM)和其他磁敏 感器件研制方面，展现了广阔的应用前景和蕴涵着 20世纪70年代初，Tedrow和Meservey…利用 “超导体／非磁绝缘体，铁磁金属”隧道结验证了隧穿 巨大商业价值，引发了一个磁性隧道结和隧穿磁电 阻(TMR)效应的研究热潮…1纠．开展对TMR和巨磁 电流确实是自旋的．1975年法国学者Julliere【21利用 电阻效应(GMR)的研究，促进了以电子自旋输运特 金属掩模法制备出Fe／GeO／Co磁性隧道结，发现磁 性隧道的电导与两铁磁层磁化矢量的相对取向有 性为核心内容的新兴学科——自旋电子学的形成， 推动了自旋电子学新材料及新器件的研制¨4’巧o．中 关，即当两铁磁金属层(FM)磁化方向平行(P)及反 国科学院物理研究所、南京大学和中国科学技术大 平行(AP)时，此FM／I／FM磁隧道结将具有不同的电 学等单位，亦在磁性隧道结的自旋电子极化隧穿理 阻值．同时，他给出上下两个磁电极分别处于平行和 论和材料制备等研究方面，获得了一些重要进 反平行状态下隧道电导改变的相对比值与磁电极自 展¨”蚓。目前实验室水平计算机TMR和GMR磁读 旋极化率之间的简单关系为：△G／G=2P。P：，(1+ 出头及磁动态随机存储器可使磁记录密度有了很大 P。P：)，并给出该磁性隧道结的隧穿磁电阻的初步