离子注入技术及其在ZnO薄膜掺杂中的应用.pdfVIP

维普资讯 第 10卷 第 1期 重庆科技学院学报 (自然科学版) 2008年 2月 离子注入技术及其在 ZnO薄膜掺杂中的应用 朱 仁 江 (重庆师范大学，重庆 400(i)47) 摘 要 ：离子注入足将具有高动能的掺杂离子引入到半导体中的一种工艺 ，其 目的是改变半导体的载流子浓度和导电 类型。将离子注入技术用于ZnO薄膜P型掺杂 ，其可重复性和稳定性 良好 。 关键词 ：离子注入 ；ZnO薄膜 ；f】型 中图分类号 ：TN304．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1673—1980(2008)01—0040—03 ZnO薄膜是制备短波长光 电子器件的优 良材料 扩散系数 、同溶度和平衡相围的限制 。理论上可将任 I】I 。 同其它宽禁带半导体材料相似，ZnO薄膜在制备 何元素注入到任何基体材料中去。 过程中会产生氧空位和锌填隙的品格缺陷 。这些缺 (2)注入剂量在 10“～10”em 的较宽范围内，可 陷