单晶硅表面硝酸银活化化学镀镍工艺.pdfVIP

单 晶 硅 表 面 硝 酸 银 活 化 化 学 镀 镍 工 艺 单晶硅表面硝酸银活化化学镀镍工艺 蒋利民。眭 俊，霍 盛，王 洋，杜裕杰 (南昌航空大学材料科学与工程学院，江西 南昌 330063) [摘 要] 单晶硅表面局部金属化可用于一些特殊的技术领域，为了寻找成本低且环保的化学镀镍无钯活化 工艺，以AgNO为活化剂，加上适当的复合添加剂对单晶硅进行化学镀镍前活化处理。通过扫描电镜、耐蚀性 试验及相关检测标准，研究了AgNO浓度、活化时间、活化温度对镀层沉积速率、覆盖率和镀层光亮度、结合力 及耐蚀性的影响。结果表明：当AgNO，浓度为3．5～7．5 L，温度为40～50cI=，活化时间为 12～20min时，镀 层沉积速率和覆盖率较好，镀层表面均匀、光亮、结合力强、耐蚀性好；该活化工艺及其制备的局部镍镀层能够 很好地应用于多孔硅的制备 。 [关键词] 无钯活化；AgNO；单晶硅；化学镀镍 ；局部金属化；镀层性能 [中图分类号]TQ153．1 [文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2013)06—0043—03 0 前 言 实际应用性能较好的镍镀层。 单晶硅是重要的半导体材料，广泛应用于微电子 1 试 验 工业、通信工程、微机电系统 (MEMS)及光伏 电源等 行业。在特定的技术领域，需要单晶硅表面局部具有 1．1 基材前处理 导电性，目前最经济、安全有效的方法是通过化学镀 基材为P型单晶硅片 (电阻率为 1—5Q ·cm)， 镍使其表面金属化。在硅表面化学镀镍 ，基体表面活 前处理流程：无水乙醇除油一 自来水洗一去离子水洗 化是关键步骤。传统的钯活化 “成本高且污染严 一 粗化 [40％(质量分数，下同)氢氟酸与去离子水按 重。以镍、铜氢氧化物胶体溶液浸渍塑料基体，用 体积比1：2混合，加人0．5％硝酸(65％～68％)，室 蕾 NaBH还原二价镍、铜为金属态，有一定的活化效果， 温，时间10min]一 自来水洗 去离子水洗一敏化(15 0 ■_ 但不及钯活化，且镀层附着力不够好，难 以达到完全 g／L氯化亚锡，10mL／L盐酸，温度40℃，时间4min) 覆盖 ]。采用镍有机酸盐在基体表面热分解得到金 一 自来水洗一去离子水洗 活化[以Ag代替传统的 属镍 ，可在陶瓷表面上获得结合力较高的镀层 ，但 Pd ，溶液组成：O．5—8．5g／LAgNO3+复合添加剂 热解有机镍盐活化法温度较高，不适用于微电子行业 (6—15g／L多羟基化合物和0．5—3．0g／L含硫抑制 所用单晶硅的金属化。以气相沉积的锌代替钯活化 剂，前者 旨在促进银粒子在硅表面形核，构成化学镀 剂活化 及激光诱导沉积_8。。等均不完全适用于半 镍的活性点，后者则为抑制银在硅表面的快速沉积)， 导体单 晶硅。近期还有用金纳米粒子活化硅表面 温度20～60℃，时间5～25min]一 自来水洗一去离 ．游 。越 群 碍ll一移 的 ，这是一个有趣的尝试 ，但金的成本和钯相当。 子水洗。 本工作以AgNO为活化剂代替氯化钯，研究了AgNO 1．2 化学镀镍 浓度、活化时间、活化温度对镀层性能的影响，获得了 镀液组成：25g／L硫酸镍，10g／L醋酸钠，20 L 次磷酸钠，10g／L柠檬酸；工艺条件：温度90℃，时间 [收稿 日期] 2013—0l一14 3