立方氮化硼薄膜的制备工艺.pdfVIP

· 9O · 材 料 开 发 与 应 用 2009年 1O月 文章编号：1003-1545(2009)05-0090-04 立方氮化硼薄膜的制备工艺 王钧石 (西南交通大学，四川 成都 610031) 摘 要：介绍了几种立方氮化硼 (c—BN)薄膜的制备工艺，并对薄膜中立方氮化硼相形成的影响因素进行了 讨论。 关键词：立方氮化硼 ；工艺；影响因素 中图分类号：TG156．8 文献标识码：A 立方氮化硼(C—BN)是一种倍受重视的类金 薄膜。大量研究表明，用这种方法所制备的薄膜 刚石材料。在迄今发现的所有物质中，其硬度居 中，C—BN相的份量占绝对优势。膜的维氏硬度 第二位(仅次于金刚石)。此外，C—BN还具有极 高达HV5500。因此，IBAD法被认为是 目前制备 高的热稳定性，极其优良的耐热性、绝缘性和光学 C—BN最有效的一种方法。 性能。因此，C—BN在高耐磨零件、切削刀具、高 IBAD设备示意图如图1所示。其原理和工 温电子元件和光学仪器上得到广泛应用。 艺过程是：在真空室下方的电子束蒸发器 (E．B． 早期所采用的C—BN膜的制备方法是化学 Evaporator)处，由热阴极灯丝所产生的电子束 气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)，虽然这 (1OkV，1A)使蒸发坩埚 内的纯硼粉末 (或硼合 两种方法比较简便易行，但沉积所得的膜中的C 金，硼化物 H，BO，)被热激发成硼蒸气，硼蒸气不 — BN的含量极少，大多数为六方氮化硼和非晶 断地 由下而上地蒸发并沉积到真空室上方的基 态氮化硼。膜的致密度和硬度均较低且与基体 体材料 (Subsrate)表面。与此 同时，由离子源 的结合力弱，使膜的使用性能受到限制。离子束 (IonSource)所产生的氮离子束(含有氩离子)向 技术的应用从半导体领域向材料表面改性的领 基体材料表面轰击，硼蒸气中的硼和氮离子束中 域内的扩展使C—BN膜的制备技术产生了一个 的氮离子在基体材料表面结合成为 C—BN薄 新的飞跃。经离子束轰击和增强的氮化硼膜中 膜。离子源中的氮离子和氩离子通常用微波放 亚稳态 C—BN结构的份量明显增加，膜的维氏 硬度最高可达HV5500。本文介绍了目前最新的 几种 C—BN膜的制备工艺，并对薄膜中立方氮 化硼相形成的影响因素进行了讨论。 1 C—BN薄膜的制备工艺 1．1 离子束增强沉积 (IBAD)法 。 近几年来 ，广泛使用 IBAD法来制备 C—BN 图1 离子束增强沉积设备示意图 收稿 日期 ：2008—12—19 基金项目：1．西南交通大学校基金(项 目编号：2004A01)；2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验 室基金 (项 目编号：100027)。 作者简介 ：王钧石，男，1949年生 ，硕士，西南交通大学材料科学与工程学院，副教授，研究方向：离子柬表面改性。 第24卷第5期 王钧石：立方氮化硼薄膜的制备工艺 ·91· 电或射频放电的方法产生，在基体电极 (Subsrate 放电室 “F”发射 ，将放电室内的氨激发成为等离 electrode)负偏压(一0．3～一0．7kV)作用下被加 子体。与此同时，在蒸发器 “C”处，含硼的化合 速。沉积前真空室内的真空度为7X10一Pa，基 物(如H，BO，)受到蒸发器内热阴极灯丝产生的 体材料被加热到400—600oC。沉积速率由一个 电子的热激作用而形成硼蒸