电子级多晶硅的生产工艺.pdfVIP

2000 年 12 月 中国工程科学 Dec2000 第 2 卷第 12 期 Engineering Science Vol 2 No 12 院 士 论 坛 电子级多晶硅的生产工艺 梁骏吾 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 　100083) [摘要] 　就建设 1 000 t 电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅 烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电 耗和价格进行了对比 ; 对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了 比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于 1 000 t/ a 级的电子级多 晶硅生产。 多晶硅 ; 三氯氢硅法 ; 硅烷法 ; 流程 ; 生产 [ 关键词] 　 　　笔者在文献 [ 1 ] 中讨论了电子级多晶硅的需 材料是经过了几代的改进 , 淘汰了许多工厂。只有 求 , 世界及中国电子级多晶硅的生产能力 , 市场竞 那些掌握了大规模生产技术和亚 ppb 级纯度多晶工 争形势 , 多晶硅的体纯度和表面纯度以及生产成 艺的 12 家工厂在竞争中生存下来并且发展壮大。 本。提出了占领市场必须具备的质量标准 , 能源消 12 　世界和中国多晶硅技术的比较 耗和材料消耗指标以及最终生产成本。 世界多晶硅的生产技术以 SiHCl3 法为主 , 并 本文将进一步讨论目前电子级多晶硅的各种关 已进入第三代闭环大生产。我国的生产也用 SiH 键技术和这些技术对比 , 从而提出在建设我国 Cl3 , 但尚处于第一代小规模生产 , 第三代闭环技 1 000t 电子级多晶硅工厂的技术建议。 术尚处于 100 t 的试验阶段。我国生产能力约 100 t/ a , 而国外工厂如德山曹达为 4 000 t/ a , Wacker 1 　多晶硅技术的特殊性及我国的差距 为4 200 t/ a , Hemlock 为 6 200 t/ a[2 ] , 差距甚大。 11 　多晶硅技术的特殊性 从生产多晶硅的反应器来看 , 我国只有小型钟罩 电子级多晶硅的发展经历了将近50 年的历程 。 式 , 国外钟罩式反应器直径已达 3 m , 并且还有流 各国都在十分保密的情况下发展各自的技术。国外 床反应器和自由空间反应器 , 大大提高了生产效 有人说参观一个多晶硅工厂甚至比参观一个核工厂 率。我国尚未开展后两者的研究。国外有完善的回 还要难 , 可见其保密性之严。电子级多晶硅的特点 收系统 , 生产成本低 , 氢耗、氯耗、硅耗、电耗均 是高纯和量大 , 其纯度已达很高级别 : 受主杂质的 优于国内。一般直拉硅用多晶有相当数量由国外进 原子分数仅为 5 ×10 - 11 , 施主杂质的原子分数为 口, 区熔用特别高纯多晶硅原料更依赖进口。我国 15 ×10 - 11 ( 国外的习惯表示法分别为 50 ppt 和 多晶硅的质量和成本均落后于先进水平 , 因此未来 150 ppt ) 。其生产能力于 1965 年达 30 t/ a , 1988 年 的我国大型电子级多晶硅厂必需采用世界先进技 上升到 5 500 t/ a , 2000 年已达到 26 000 t/ a , 这在